武汉普赛斯仪表有限公司简介

时间：2025-08-18 编辑：半导体检测设备服务网

武汉普赛斯仪表有限公司简介

武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子股份有限公司的全资子公司，公司以源表为核心产品，专注于半导体电性能测试设备的开发、生产与销售，提供精准高效的第三代半导体材料、晶圆、器件测试的整体解决方案及服务。

聚焦第三代半导体领域高端测试设备的国产化，武汉普赛斯仪表坚持自主创新研发，积极打造对标进口、国内领先的实验与测试平台。掌握多项电性能测试核心专利技术，构建了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、脉冲恒压源、集成插卡式源表、高精度的超大电流源、高精度脉冲大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等系列产品，电流覆盖pA至kA，电压覆盖μV至kV。基于自主核心仪表产品，我司创新打造了半导体参数分析仪、功率器件静态参数测试系统、大功率激光器老化测试系统、miniLED测试系统、电流传感器测试系统等测试平台，以高效率、高精度、低成本为核心，实现市场应用的集成创新。

公司已建成覆盖全国的营销服务网络，并积极布局海外市场。凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野，成为为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。产品被国内外知名高校、科研院所以及半导体企业广泛应用，并与多家半导体测试机厂家建立长期稳定的合作关系。未来，公司将始终以“提供供应链可控的高性能、低成本的有特色的测试仪器仪表和测试系统”为价值导向，坚持创新驱动，持续赋能全球半导体产业智能化测试升级。

SM系列多通道源表

微秒级脉冲源表

S系列高精度台式直流源表

P系列高精度台式脉冲源表

DPX00B系列高精度双通道源表

HCPL030高电流脉冲电源

HCPL100高电流脉冲电源

HCP系列大电流台式脉冲源表

E系列高电压源测单元

E800高电压源测单元

CS系列插卡式源表

SPA6100半导体参数分析仪

PMST功率器件静态参数测试系统

PMDT功率器件动态参数测试系统

SPA6100半导体参数分析仪

SPA6100半导体参数分析仪具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势，产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试。

基于模块化的结构设计,可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持最高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。

搭载专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

产品特点

30μV-1200V，1pA-100A 宽量程测试能力

测量精度高，全量程下可达0.03%

内置标准器件测试程序，直接调用测试简便

自动实时参数提取、数据绘图、分析函数

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线

提供灵活的夹具定制方案，兼容性强

免费提供上位机软件及SCPI指令集

应用场景及测试参数

1、纳米材料：电阻率、载流子迁移率、载流子浓度、霍尔电压

2、柔性材料：拉伸/扭转/弯折、V-t、I-t、R-t、电阻率、灵敏度

3、IC芯片：O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲线

4、分立器件：BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、输出/转移/CV曲线等

5、光电探测器：暗电流ID、结电容Ct、反向击穿电压VBR、响应度R

6、钙钛矿电池：VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7、LD/LED/OLED：Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲线

8、传感器/忆阻器：V-t、I-t、R-t、直流/脉冲/交流IV测试

特色优势

1、模块化配置：可灵活配置多种测量单元，预留升级空间，方便后期升级

2、图形化界面：内置常用器件模板，可直接调用，并且支持输出三种模式测试报告

3、自动化测试：内嵌低漏电矩阵开关，可自动切换测试电路，实现一键测试功能

4、夹具可定制：支持二极管、三极管、Si及SiC MOS管、IGBT等器件

5、多设备联动：可与探针台、温控模块等搭配使用，温控范围：室温~250℃

加快半导体材料、芯片器件设计以及先进工艺的开发验证

1、支持直流、脉冲I-V测试

2、内置专业矩阵开关，提高测试效率

3、可与多种设备联动使用：晶圆级芯片性能测试需要与探针台联动，可靠性评估会涉及常温以及高低温等条件

4、三同轴线缆提升小电流测试精度

图形化软件界面

配合普赛斯自主开发的专业测试软件，SPA6100可轻松实现半导体材料，器件的参数测试。系统内置常用器件模板，如二极管，三极管，MOSFET。测试过程中，可直接调用，只需简单设置测试参数即可。软件支持测试数据显示，以及曲线绘制。测试完毕后，可将数据以及曲线导出保存。

灵活可定制化的夹具方案

针对市面上不同封装类型的半导体器件产品，普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试；也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。

PMST功率器件静态参数测试系统

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

产品特点

高电压达3500V(最大扩展至12kV)

大电流达6000A(多模块并联)

nA级漏电流μΩ级导通电阻

高精度测量0.1%

模块化配置，可添加或升级测量单元，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试

测试效率高，自动切换、一键测试

温度范围广，支持常温、高温测试

兼容多种封装，根据测试需求定制夹具

测试项目

二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线

三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、转移特性曲线、C-V特性曲线

光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、电流传输比CTR、隔离电容CIO

系统优势

1、IGBT等大功率器件由于其功率特点极易产生大量热量，施加应力时间长，温度迅速上升，严重时会使器件损坏，且不符合器件工作特性。普赛斯高压模块建立的时间小于5ms，在测试过程中能够减少待测物加电时间的发热。

2、高压下漏电流的测试能力无与伦比，测试覆盖率优于国际品牌。市面上绝大多数器件的规格书显示，小模块在高温测试时漏电流一般大于5mA，而车规级三相半桥高温下漏电大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3规格书为例：3300V，125℃测试条件下ICES典型值14mA，最大40mA。普赛斯静态系统高压模块测试几乎可以完美应对所有类型器件的漏电流测试需求。

3、此外，VCE(sat)测试是表征 IGBT 导通功耗的主要参数，对开关功耗也有一定的影响。需要使用高速窄脉冲电流源，脉冲上升沿速度要足够快时才能减小器件发热，同时设备需要有同步采样电压功能。

IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确。下图为 1000A 波形：

4、快速灵活的客制化夹具解决方案：强大的测试夹具解决方案对于保证操作人员安全和支持各种功率器件封装类型极为重要。不论器件的大小或形状如何，普赛斯均可以快速响应用户需求，提供灵活的客制化夹具方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试。

PMDT功率器件动态参数测试系统

PMDT功率器件动态参数测试系统是一款专用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的动态参数测试，能够安全便捷的测试功率器件的开关延时和损耗，评估器件的安全工作区，对器件和驱动电路的短路保护特性进行验证，测量功率组件的杂散电感。

系统主要由双脉冲信号发生器，高分辨率示波器，高压电流探头，高压电源、母线电容、低杂感母排、自动化测试软件以及配套测试工装组成。系统配备多种测试驱动板，可覆盖开关参数测试、栅极电荷测试、短路测试、雪崩测试等，单次测试即可完成开关特性及反向恢复特性测试；可实时保存测试结果及波形曲线，自动生成测试报告。

产品特点

高电压达2000V（最大扩展至8kV）

大电流达2000A（可扩展至6000A）

低寄生电感设计，＜20nH寄生电感

安全防护机制，集成防爆、过流/过压保护

全功能测试覆盖，支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等参数

自动化与智能化，负载电感自动切换

温度范围广，可选高温模块(常温～200℃)或热流仪(-40℃～200℃)

兼容多种封装，可根据测试需求定制夹具

测试项目

开通特性：开通延时时间td(on)、开通上升时间tr、开通时间ton、开通能量损耗E(on)、开通电压斜率dv/dt、开通电流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs vs.t、Ig vs.t

关断特性：关断延时时间td(off)、关断上升时间tf、关断时间toff、关断能量损耗E(off)、关断电压斜率dv/dt、关断电流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs vs. t、Ig vs.t

反向恢复特性：反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr、反向恢复能量Err、最大反向恢复电流Irrm、反向恢复电压斜率dv/dt、反向恢复电流斜率di/dt、反向恢复电流特性Id vs.t

短路特性：短路时间Tsc、短路饱和电流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc

栅极电荷：总栅极电荷Qg、阈值栅极电荷Qgs(th)、栅源电荷Qgs、栅漏电荷Qgd、栅极申荷曲线Vgs vs.t

反偏安全工作区：关断电压尖峰VCE—peak、关断电流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

测试夹具

针对市面上不同封装类型的功率半导体，如IGBT、SiC、MOS等产品，普赛斯提供整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试

功率半导体器件静态参数测试解决方案

功率半导体是电子产业链中最核心的一类器件，能够实现电能转换和电路控制作用。功率半导体包括功率半导体分立器件(含模块)以及功率IC等。其中，功率半导体分立器件按照器件结构可分为二极管、晶闸管和晶体管等。以MOSFET、IGBT以及SiC MOSFET为代表的功率器件需求旺盛。根据性能不同，广泛应用于汽车、充电桩、光伏发电、风力发电、消费电子、轨道交通、工业电机、储能、航空航天和军工等众多领域。

随着行业技术革新和新材料性能发展，功率半导体器件结构朝复杂化演进，功率半导体的衬底材料朝大尺寸和新材料方向发展。以SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)为代表的第三代宽禁带半导体材料迅速发展，它们通常具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、高温稳定性以及可承受大功率等特点，使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器等方面展现出巨大的潜力。SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)电力电子器件也逐渐成为功率半导体器件的重要发展领域。另外，由于不同结构和不同衬底材料的功率半导体电学性能和成本各有差异，在不同应用场景各具优势。

功率半导体器件静态参数测试技术的演进

功率器件的生产制造属于高科技基础产业,整个产业链包含芯片器件的研发、生产、封装和测试等几个产业实现环节。随着半导体制程工艺不断提升,测试和验证也变得更加重要。通常,主要的功率半导体器件参数分为静态、动态、开关特性,静态参数特性主要是表征器件本征特性指标。

所谓静态参数是指器件本身固有的,与工作条件无关的相关参数,如很多功率器件的的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSS、漏电流ICES/IGES/lGSS/lDSS、阈值电压VGE(th)、开启电压VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)等。动态参数是指器件开关过程中的相关参数,这些参数会随着开关条件如母线电压、工作电流和驱动电阻等因素的改变而变化,如开关特性参数、体二极管反向恢复特性参数及栅电荷特性参数等。功率器件的静态参数是动态指标的前提。

功率半导体器件是一种复合全控型电压驱动式器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点；同时半导体功率器件的芯片属于电力电子芯片，需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下，对芯片的可靠性要求较高，这给测试带来了一定的困难。市面上传统的测量技术或者仪器仪表一般可以覆盖器件特性的测试需求，但是宽禁带半导体器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)的技术却极大扩展了高压、高速的分布区间。如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态特性，这就对器件的测试工具提出更为严苛的挑战

基于国产化高精度数字源表(SMU)的静态参数测试方案

功率半导体器件是一种复合全控型电压驱动式器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点;同时功率半导体器件的芯片属于电力电子芯片,需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高,这给测试带来了一定的困难。武汉普赛斯提供一种基于国产化高精度源表的测试方案,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、 nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

另外,针对氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)等材料构成的高速器件的I-V测试,如大功率激光器、GaN射频功放、忆阻器等,普赛斯全新推出的CP系列脉冲恒压源可以高效快速解决测试难题。

国标全指标的“一键”测试项目

普赛斯可以提供完整的功率半导体器件芯片和模块参数的测试方法,轻松实现静态参数I-V和C-V的测试,最终输出产品Datasheet报告。这些方法同样适用于宽禁带半导体SiC和GaN功率器件。

半导体分立器件测试方案

服务于研发与制造的每一个环节，让您的测试更高效！

PXIe插卡式源表

半导体分立器件测试方案

思源黑体半导体分立器件是指以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等，具有整流、放大、开关、检波，稳压、信号调制等多种功能，衡量晶体管性能好坏主要是通过I-V测试或C-V测试来提取晶体管的

本特性参数，并在整个工艺结束后评估器件的优劣。

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，

过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。

研发阶段

工艺设计/材料评估/产品建模

性能验证

可靠性分析

生产过程管控

PCM/TEG测试

晶圆验收测试/模具分类

WAT/KGD/参数测试

封装测试

器件功能测

失效分析

确定器件故障原因

精准、高效、灵活的测试解决方案

满足二极管/三极管/场效应管/大功率激光器等多种半导体分立器件电性能测试需求

实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。

光电耦合器电性能测试

光电耦合器作为一种光电隔离的器件,主要由发光器件、光接收器件以及两者之间的耐电压击穿能力强的电介质透明绝缘材料组成。通常发光器件为红外LED，光接收器件为光控晶闸管或光敏三级管。当有电流流入发光元件LED时会使LED灯发光，光透过透明绝缘材料被光接收器件接收后产生电流输出，从而实现以光为媒介电信号的隔离传输。由于它以光的形式传输直流或交流信号，所以具有较强的抗EMI干扰特性和电流电压隔离能力。因此，光电耦合器被广泛应用于开关电路、级间耦合、电气隔离、远距离信号传输等。光电耦合器的电性能参数测试主要包括试 VF、VR、IR、ICEO、VCE(sat)、ICon 以及输入输出曲线等。

IC芯片电性能参数测试

芯片测试作为芯片设计、生产、封装、测试流程中的重要步骤，是使用特定仪器，通过对待测器件DUT(Device Under Test)的检测，区别缺陷、验证器件是否符合设计目标、分离器件好坏的过程。其中直流参数测试是检验芯片电性能的重要手段之一，常用的测试方法是FIMV（加电流测电压）及FVMI（加电压测电流），测试参数包括开短路测试(Open/Short Test)、漏电流测试（Leakage Test）以及DC参数测试（DC Parameters Test）等。

生物细胞趋电性测试

对于细胞来说，趋电性（electrotaxis）是集体细胞迁移的机制之一，指细胞在直流电场作用下，根据细胞类型的不同，朝向阴极或阳极的方向移动。细胞在电场的作用下可以打开电压门控的离子通道（比如Ca2+或Na+通道），随后离子流入细胞内，并激活离子转运蛋白发出下游信号指导细胞迁移。细胞的趋电性在胚胎发生、炎症、伤口愈合和肿瘤转移过程中起重要作用。

电磁继电器主要由触点簧片、衔铁、线圈、铁芯、触点等部件组成，由线圈、铁芯、触点等部分组成。当线圈通电时，会在铁芯中产生磁场，使得触点吸合或释放，从而开启或关闭控制电路；固态继电器是一种由固态电子元器件（光耦、MOS管、可控硅等）组成的无触点式继电器，本质是其实是一种具有开关性质的集成电路。 继电器的性能测试主要包括电压参数（吸合/释放电压、自保持/复归电压、动作不同步电压、线圈瞬态抑制电压）、电阻参数（线圈电阻、触点接触电阻）、时间参数（吸合时间/释放时间、吸合回调/释放回调时间、触点稳定时间、动合/静合超行程时间、吸合/释放飞跃时间）、状态判断（先断后合、中位筛选）等。

二极管特性参数分析解决方案

二极管是一种使用半导体检测设备材料制作而成的单向导电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。 IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性。

BJT测试解决方案

BJT是一种双极型二极管，它是一个“两结三端”电流控制器件。双极二极管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。BJT的种类很多。按照频率分，有高频管、低频管；按照功率分，有大、中、小功率管；按照半导体材料分，有硅管、锗管等等。BJT电性能测试中主要测试参数包含正向压降（VF）、反向漏电流（IR）和反向击穿电压（VR）、较高工作频率（fM）、较大整流电流（IF）等参数。

MOSFET测试解决方案

MOS管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压(VGS(th))、漏电流(IGSS、IDSS)，击穿电压(VDSS)、低频互导(gm)、输出电阻(RDS)等；直流I-V测试是表征MOSFET特性的基础，通常使用I-V特性分析或I-V曲线来决定器件的基本参数，通过实验帮助工程师提取MOSFET的基本I-V特性参数，并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。 </div>

晶闸管测试解决方案

晶闸管全称晶体闸流管，指的是具有四层交错P、N层的半导体器件，主要有单向晶闸管（SCR）、双向晶闸管（TRIAC）、可关断晶闸管（GTO）、SIT、及其他种类等。根据晶闸管的伏安特性，需要依照厂家提供的晶闸管器件数据进行测试试验。

IGBT静态参数测试解决方案

IGBT作为新一代功率半导体器件，IGBT具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点，是自动控制和功率变换的关键核心部件，被广泛应用在轨道交通装备行业、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中。IGBT动态、静态测试系统是IGBT模块研发和制造过程中重要的测试系统，从晶圆、贴片到封装完整的生产线，从实验室到生产线的测试需求全覆盖。合理的IGBT测试技术，不仅能够准确测试IGBT的各项器件参数，而且能够得到实际应用中电路参数对器件特性的影响，进而优化IGBT器件的设计。

数字源表IV扫描PD光电二极管电性能方案

是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电特性。光电二极管是在反向电压作用之下工作的，在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。

光电二极管PD测试要求测试基本

主要测试指标光谱响应范围（Spectral response range）暗电流（ID,dark current）分流电阻噪声等效功率上升时间（tr,Rise time）终端电容（Ct）& 结电容（Cj）光电二极管PD测试所需仪表S系列台式源表/CS系列插卡式源表；示波器；温度箱；

样品探针台或者定制夹具；IV测试分析软件；典型测试指标"典型测试指标.选型依据电压量程及精度；电流量程及精度；采样速率高；IV测试分析软件功能；常见问题

、国产源表与进口源表相比有哪些优势？

答：普赛斯S系列源表完全对标2400，可测量电压和电流范围更宽。软件上不仅提供指令集，还支持C++和Labview的SDK包，更便于测试系统的集成。

2、CS插卡式源表在测量PD时最大可以做到多少个通道？

答：1003CS拥有最高容纳3子卡的插槽，1010CS拥有最高容纳10子卡的插槽，普赛斯子卡均能放入这两种主机，目前已开发，CS100、CS200、CS300、CS400、CBI401及CBI402子卡，其中CS100、CS200、CS300为单卡单通道，CS400、

CBI401及CBI402为单卡四通道，卡内4通道共地。使用10插卡主机时，用户可实现高达40通道的配置，用户针对实际情况可以选择不同的子卡实现最优性价比搭配。

光电探测器电性能测试

光电探测器一般需要先对晶圆进行测试,封装后再对器件进行二次测试,完成最终的特性分析和分拣操作;光电探测器在工作时,需要施加反向偏置电压来拉开光注入产生的电子空穴对,从而完成光生载流子过程,因此光电探测器通常在反向状态工作;测试时比较关注暗电流、反向击穿电压、结电容、响应度、串扰等参数。实施光电性能参数表征分析的最佳工具之一是数字源表(SMU)，针对光电探测器单个样品测试以及多样品验证测试,可直接通过单台数字源表、多台数字源表或插卡式源表搭建完整的测试方案。忆阻器基础性能研究

忆阻器件有两个典型的阻值状态,分别是高阻态(HRS)和低阻态(LRS),高阻态具有很高的阻值,通常为几kΩ到几MΩ,低阻态具有较低的阻值,通常为几百Ω。忆阻器的阻变行为最主要是体现在它的I-V曲线图上，

不同种材料构成的忆阻器件在许多细节上存在差异,依据阻值的变化随外加电压或电流变化的不同,可以分为两种,分别是线性忆阻器LM(linear memristor)以及非线性忆阻器NLM(non-linear memristor)提供半导体材料的电...

PMST功率器件静态参数测试系统我们会谨慎对待您的个人信息，保护您的隐私安全！稍后我们将安排销售顾问与您取得联系。

请输入有效的手机号码

您的邮箱不能为空

请输入有效的邮箱

请确保您已勾选同意条款和条件！

阻止表单提交

欢迎来到普赛斯仪表资料下载中心

只需1分钟，填写后即可获得：

通过电子邮件获取正式的PDF资料

专业的技术支持团队VIP一对一服务