我们是亚太区碳化硅晶片生产制造先行者

北京天科合达半导体股份有限公司（简称“天科合达”）成立于2006年，总部位于北京市大兴区，是国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业之一，也是国内碳化硅单晶衬底领域生产规模较大、产品种类较全的碳化硅衬底供应商，并于2021年被工信部认定为专精特新“小巨人”企业。

公司拥有雄厚的技术研发实力，历经近二十年卓有成效的自主研发和技术积累，公司已形成拥有自主知识产权的碳化硅单晶生长炉制造、原料合成、晶体生长、晶体加工、晶片加工、清洗检测和外延片制备等七大关键核心技术体系，覆盖碳化硅材料生产全流程。

目前，公司拥有一个研发中心、四家全资子公司和一家控股子公司，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延片制备。公司在辽宁沈阳市建有碳化硅单晶生长炉制造基地，在北京大兴区和江苏徐州市分别建有两处完整的碳化硅单晶衬底制备基地。同时，由控股子公司深圳市重投天科投建的省级重点工程 ⸺“碳化硅衬底及外延制造基地项目”已于2023年中建成投产，初步形成了立足京津冀、长三角、粤港澳大湾区三大核心优势区，辐射带动全国的产业布局。

天科合达始终坚持走质量为本、精益求精的道路，一直致力于大尺寸和高品质碳化硅材料的生产和研发，努力将公司打造成具有自主知识产权和知名品牌效应的全球碳化硅主要衬底供应商，并为我国“双碳”战略的实施和第三代半导体产业的发展贡献自己的力量。

8英寸导电型衬底

技术成果

零微管密度控制技术

低位错密度控制技术

低层错密度控制技术

电阻率均匀性控制技术

低应力及面型控制技术

产品概述

导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。

8英寸导电型衬底是下一代行业主流尺寸产品。8英寸产品质量与6英寸相当，未来公司将根据客户实际需求，同步扩大8英寸衬底生产规模，并有效降低生产成本，推动8英寸衬底不断向前发展。

下游产品与应用

碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。

6英寸导电型衬底

技术成果

零微管密度控制技术

低位错密度控制技术

低层错密度控制技术

电阻率均匀性控制技术

超薄衬底加工及面型控制技术

产品概述

导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。6英寸导电型衬底是目前行业主流尺寸产品。我们的6英寸导电衬底的品质已达到国际水准，并且拥有极高的性价比。经过下游客户的全面验证，产品性能稳定可靠，已在车规级和工业级应用中取得显著成果。

下游产品与应用

碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。

4英寸导电型衬底

技术成果

低微管密度控制技术

单一晶型控制技术

包裹物控制技术

电阻率控制技术

面型控制技术

产品概述

导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。为满足客户对小尺寸产品的多样化需求，我们依旧保留部分4英寸及以下小尺寸产品的产能，确保供应无忧。

下游产品与应用

碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。

6英寸半绝缘型衬底

技术成果

零微管密度控制技术

单一晶型控制技术

包裹物控制技术

电阻率控制技术

杂质调控技术

衬底台阶宽度控制技术

衬底面型控制技术

产品概述

半绝缘碳化硅衬底是半绝缘碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过异质外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。6英寸衬底目前为行业主流尺寸，公司为国内外客户批量提供具有高性价比的6英寸半绝缘型衬底产品。

下游产品与应用

通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓异质外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，通过晶圆制造、封装检测，可进一步制成微波射频器件，主要应用于射频领域，例如5G通讯、相控阵雷达、无线电探测器等。

4英寸半绝缘型衬底

技术成果

零微管密度控制技术

单一晶型控制技术

包裹物控制技术

电阻率控制技术

杂质调控技术

衬底台阶宽度控制技术

产品概述

半绝缘碳化硅衬底是半绝缘碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过异质外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。为满足客户对4英寸产品的需求，公司为国内外客户批量提供具有高性价比的4英寸半绝缘型衬底产品。

下游产品与应用

通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓异质外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，通过晶圆制造、封装检测，可进一步制成微波射频器件，主要应用于射频领域，例如5G通讯、相控阵雷达、无线电探测器等。

8英寸导电型外延片

技术成果

小于le14cm-3的低本底浓度控制技术

小于3%的厚度均匀性控制技术

小于6%的浓度均匀性控制技术

低的位错控制技术，BPD转化效率达99%以上

低的表面缺陷控制技术，表面缺陷密度小于0.2个/cm2

产品概述

利用碳化硅外延设备在自产碳化硅衬底上生长一层高质量的碳化硅单晶薄膜，制成碳化硅外延片。碳化硅外延片经过晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅功率器件。

下游产品与应用

碳化硅外延片经过晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。

6英寸导电型外延片

技术成果

小于1E14 cm-3 的低本征浓度控制技术

小于2%的厚度均匀性控制技术

小于5%的浓度均匀性控制技术

产品概述

利用碳化硅外延设备在自产碳化硅衬底上生长一层高质量的碳化硅单晶薄膜，制成碳化硅外延片。碳化硅外延片经过晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅功率器件。

下游产品与应用

碳化硅外延片经过晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。

碳化硅粉料

产品优势

纯度高达99.9995%

颗粒度均匀

成本和质量领先

产品概述

以高纯碳粉、高纯硅粉为原料通过高温固相反应合成碳化硅块体，通过破碎、拆分、清洗等步骤，获得一定颗粒度的高纯导电型碳化硅粉料，粉料纯度大于99.9995%。

下游产品与应用

碳化硅粉料是PVT法生产碳化硅单晶的原材料。公司生产的碳化硅粉料，具有纯度高、颗粒度均匀等重要的优势，我公司用此原料生长的碳化硅单晶产品得到行业的高度认可。

碳化硅晶体

产品优势

规模化量产能力强，保障产品供应

晶体质量行业领先，工艺稳定性强

衬底品质世界领先，晶体性价比高

产品概述

经过PVT方法，生长出优质的导电型碳化硅晶胚。晶胚经过滚外圆、磨端面、加工定位边等一系列工序，加工成高质量碳化硅单晶晶体。单晶晶体是加工制作单晶衬底的重要原料，客户通过切磨抛等加工工艺和清洗工艺，可获得低缺陷密度的碳化硅单晶衬底产品。

下游产品与应用

碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。

碳化硅单晶生长炉

产品优势

高度自动化程序，减少人工操作

能灵活改动温场，满足晶体长大、长快、长厚要求

内置感应线圈，提高耦合效率，更低能耗

金属真空腔室，更安全耐用

产品概述

天科合达目前已经开发出了第五代SiC单晶生长炉，该生长炉为我司自主研发设计制造。炉体采用单室立式双层水冷不锈钢结构，炉子整体结构由真空系统、感应加热、压力控制和提拉控制四部分控制体系组成。经过不断的升级迭代，第五代单晶炉在性能已成功达到国外同类水平，成本相比仅有其1/4。

主要优势有：

1、高度的自动化程序，无需人工操作

2、使用内置感应线圈，提高了耦合效率和电能利用率，能耗更低

3、能灵活改动温场，满足碳化硅晶体长大、长快、长厚的需求

4、金属真空室更安全耐用

下游产品与应用

单晶生长炉是生长碳化硅单晶材料的重要设备，为公司、高校和科研院所在研究和生产制备碳化硅单晶晶体、研发长晶工艺中，提供高精度的设备支撑。公司为此还提供优质的籽晶、粉料和长晶方面的技术支持。

莫桑石晶体

产品优势

长晶技术，行业领先

品质优异，成色极好

接受批量化定制服务

产品概述

莫桑石的主要成分是碳化硅，天然莫桑石极为稀少，市场上的莫桑石均为人工合成的碳化硅单晶晶体。碳化硅粉料装入自制的宝石生长炉，在2200度以上的高温环境中，利用物理气相传输法（PVT法），缓慢的生长出莫桑石原石。

下游产品与应用

莫桑石硬度极高，仅次于钻石，经过设计师的精心挑选、设计和加工，制作成一个个光彩夺目的莫桑钻，应用于各种常见的首饰中。莫桑钻的魅力在于它高于钻石的色彩指数，在不同的环境中呈现的火彩闪烁高于钻石且呈七彩色，并且莫桑钻的价格远低于钻石，是比较不错的选择。

2006 年公司已成立19年

121 余项已获授权发明专利64余项

实用新型57余项

5 大应用领域

7 大关键核心技术体系

企业使命:专注于第三代半导体碳化硅材料的技术研究、开发与生产 持续为国内外客户提供品质一流的产品

企业愿景:成为全球第三代半导体行业领导者

企业价值观:公平公正、敬业当责、诚信尊重、客户至上

在近20年的发展中，天科合达凭借其

坚持不懈的努力和深厚的技术积累，

如今已成为世界领先的碳化硅衬底供应商

2006公司成立

2012实现4英寸碳化硅晶锭与晶片小批量供应

2014正式发布6英寸碳化硅晶锭与晶片产品

2016公司首条碳化硅衬底产线建成投产

2019徐州和沈阳基地建成投产

20228英寸碳化硅衬底成功首发

2023深圳重投天科建成投产

北京天科合达半导体股份有限公司

碳化硅衬底制造基地

深圳市重投天科半导体有限公司

碳化硅衬底及外延制造基地

江苏天科合达半导体有限公司

碳化硅衬底制备基地

沈阳天科合达半导体设备有限公司

碳化硅单晶生长炉制造基地

销售部

邮箱： sales@tankeblue.cn

市场部

邮箱： marketing@tankeblue.cn

人力资源部

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北京天科合达半导体股份有限公司

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