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时间：2025-08-14 编辑：半导体检测设备服务网
合肥晶合集成电路股份有限公司在CMOS图像传感器（以下简称CIS）产品上持续加速推进。合肥晶合集成电路股份有限公司与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CIS，为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择，推动全画幅CIS进入发展新阶段。
为满足8K高清化的产业要求，高性能CIS的需求与日俱增。合肥晶合集成电路股份有限公司基于自主研发的55纳米工艺平台，携手思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上，所能覆盖一个常规光罩的极限，同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。
首颗1.8亿像素全画幅CIS的成功试产，既标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功运用，也为未来更多大靶面全画幅、中画幅传感器的开发铺平了道路。同时，该产品具备1.8亿超高像素 8K 30fps PixGain HDR模式高帧率及超高动态范围等多项领先性能，创新优化光学结构，可兼容不同光学镜头，提升产品在终端灵活应用的适配能力，打破了日本索尼在超高像素全画幅CIS领域长期垄断地位，为本土产业发展贡献力量。
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