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时间:2025-08-12 编辑:半导体检测设备服务网
岱美仪器技术服务(上海)有限公司简介
岱美仪器技术服务(上海)有限公司(Dymek Company Ltd ,下面简称岱美)成立于1989年,是一间拥有多年经验的高科技设备分销商,主要为数据存储、半导体、光通讯、高校及研发中心提供各类测量设备、工序设备以及相应的技术支持,并与一些重要的客户建立了长期合作的关系。自1989年创立至今,岱美的产品以及各类服务、解决方案广泛地运用于中国香港,中国大陆(上海、东莞、北京),中国台湾,泰国,菲律宾,马来西亚,越南及新加坡等地区。
岱美在中国大陆地区主要销售或提供技术支持的产品:
晶圆键合机、纳米压印设备、紫外光刻机、涂胶显影机、硅片清洗机、超薄晶圆处理设备、光学三维轮廓仪、硅穿孔TSV量测、非接触式光学三坐标测量仪、薄膜厚度检测仪、主动及被动式防震台系统、应力检测仪、电容式位移传感器、定心仪等。
岱美重要合作伙伴包括有:
Thetametrisis, EVG, FSM, Opto-Alignment, Herz, PLSINTEC, Film Sense, Reditech, Lazin, Delcom, Microsense, Shb, boffotto, RTEC, Kosaka, Nanotronics, MTInc, 4D, Daeil, Microphysics,
n&k Technology, First Nano, Schmitt, LESCO, Otsuka, STI, Kurashiki, Ryokosha, SURAGUS, Westbond...
如有需要,请联系我们,了解我们如何开始与您之间的合作,实现您的企业或者组织机构长期发展的目标。
EVG光刻机
掩模对准曝光机、
光刻胶处理系统
EVG键合机
晶圆关键尺寸测量
EVG纳米压印机
膜厚仪
防震台
晶圆厚度测量
应力测量
3D形貌仪/白光干涉轮廓仪
光学镜头对准系统(定心仪)
片电阻测量仪
晶圆缺陷检测
等离子去胶
椭偏仪
台阶仪
4D 动态激光干涉仪
光学粗糙度测试仪
电容式位移传感器
磁性材料检测设备
全自动测量机台
微纳样品制备加工
等离子体刻蚀与沉积设备
EVG540-晶圆键合自动化系统
应用:全自动晶圆键合系统(晶圆键合机),适用于大300 mm的基板
一、简介
EVG540自动化晶圆键合系统(晶圆键合机)是一种自动化的单腔室生产键合机,设计用于中试线生产以及用于晶圆级封装,3D互连和MEMS应用的大批量生产的研发。EVG540基于模块化设计,为我们未来的晶圆键合工艺从研发到大规模生产的全集成生产键合系统过渡提供了可靠的解决方案。
EVG540-晶圆键合自动化系统
二、特征
单室键合机(晶圆键合机),大基板尺寸为300 mm
与兼容的SmartView 和MBA300
自动处理多达四个键合卡盘
符合高安全标准
三、技术数据
(晶圆键合机)大加热器尺寸300毫米
装载室使用2轴机器人
高 键合室2个
EVG610 BA晶圆对准设备
晶圆缺陷检测设备专为晶圆与晶圆对准设计,晶圆尺寸大可达150 mm。EV Group键合对准系统提供手动高精度带有底部显微镜的校准台。EVG的键合对准系统的精度能满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中苛刻的对准要求。
GEMINI (FB XT) EVG晶圆键合自动生产系统简介
对准晶圆键合是一种用于晶圆级封盖,晶圆级封装,工程衬底制造,晶圆级3D集成和晶圆减薄的实用技术。反过来,这些过程使MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)实现了惊人的增长。这些过程还使制造工程衬底(例如绝缘体上的硅)成为可能。
主流的键合工艺包括:粘合剂,阳极,直接/熔融,玻璃粉,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压。选用哪种键合工艺合适将取决于应用。
EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,总共拥有2,000多年的晶圆键合经验,而GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。
GEMINI FB(熔融键合)在室温和环境压力条件下执行对齐的直接键合。因为当晶圆被带入在对准器时形成初始键合,没有必要配备对准键合腔。高通量,对准精度和较小的占地面积,再加上多个预处理室,可确保*性能。
特征
SmartView® Face-to-Face 对准 (zhuanli号: US 6.214.692)
透明,背部和红外对准能力
Optical Center-to-Center对准选项(MBA)
用于SiO2熔融,Cu-Cu金属扩散键合和聚合物键合的高产量配置
用于晶圆减薄的临时键合功能
拥有wap-in模块
适用于所有的Wafer-to-Wafer (W2W) 和Chip-to-Wafer (C2W)的 键合技术
高达100 kN 的键合力
易清洁和维修的键合室
ISO 3 (依据ISO 14644) 小空间内的预先和后键合
键合卡盘
键合卡盘用于将对准的晶圆对安全可靠地运输到键合室,并从键合室中移出键合的晶圆对。高度灵活的键合卡盘设计和材料可优化所选键合工艺或针对特殊应用的系统定制。
软件
多程序键合可以定义通过系统的各个晶圆的路径(程序,键合室,预键合处理步骤,键合卡盘等)
多个模块功能允许安装具有不同功能和规格的模块,以实现较大的灵活性。
GEMINI系统能够跟踪所有晶圆的每个处理变量。例如:哪个晶圆键合到哪个晶圆,以及使用了什么键合工具和键合室。
GEMINI通过基于Windows®的直观软件进行操作。提供了针对不同用户(操作员,工程师,开发工程师,管理员)的具有密码控制访问权限的不同登录级别。晶圆装载,对准,键合和卸载键合晶圆的过程是*可编程的。通过实时监控和数据采集以及轻松的拖放程序编辑,可确保对键合过程的控制。图像可以与晶圆ID一起存储,以供以后参考。
GEMINI (FB XT) EVG晶圆键合自动生产系统产品系列包含:
GEMINI® 自动生产晶圆键合系统
晶圆尺寸高达 300 mm
全自动集成平台,用于晶圆间对准和晶圆键合
底部,IR或SmartView对准的配置选项
多个键合室
晶圆处理系统与键合卡盘处理系统分开
带交换模块的模块化设计
结合了EVG精密对准设备和EVG®500系列系统的所有优势
与独立系统相比,占用空间小
可选的过程模块:
LowTemp™等离子活化
晶圆清洗
涂胶模块
紫外线键合模块
烘烤/冷却模块
可堆叠的键合室
对准验证模块
EVG805-半自动系统(晶圆键合机)
应用:薄晶圆解键合
一、简介
EVG805是半自动系统(晶圆键合机),用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层,该叠层由器件晶圆,载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上,以在工具之间安全可靠地运输。
EVG805-半自动系统(晶圆键合机)
二、EVG805-解键合晶圆键合机特征
1.开放式胶粘剂平台
2.解键合选项:
热滑解键合
解键合
机械解键合
3.程序控制系统
4.实时监控和记录所有相关过程参数
5.薄晶圆处理的*功能
6.多种卡盘设计,可支撑大300 mm的晶圆/基板和载体
7.高形貌的晶圆处理
三、EVG805-解键合晶圆键合机技术数据
晶圆直径(基板尺寸):晶片大300 mm、高达12英寸的薄膜
组态:1个解键合模块
四、选件
1.紫外线辅助解键合
2.高形貌的晶圆处理
3.不同基板尺寸的桥接能力
EVG810 LT 低温等离子活化系统
应用:用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级衬底键合的低温等离子体活化系统
一、简介
EVG810 LT (LowTemp™)低温等离子活化系统是一个独立单腔室系统,具有手动操作功能。 处理室允许非原位处理(晶片一个接一个地激 活并且键合在等离子体活化室外部)。
二、特征
用于低温键合的表面等离子体活化(熔合/分子和中间层键合)
任何晶圆键合机制的快动力学
无需湿法工艺
低温退火时的高键合强度(高400°C)
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进封装
高度的材料兼容性(包括CMOS)
三、参数
1.晶圆尺寸:50-200mm,100-300mm
2.低温等离子活化腔:
工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)
通用大流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)
真空系统:0.09 mbar
装载/卸载腔室:手动(晶圆/基板放置在装载销上)
3.备选功能:
用于不同的晶圆尺寸的夹头
金属离子激 活
带有气体混合的附加工艺气体
带涡轮泵的高真空系统:0.009 mbar的基础气压
4.符合LowTemp™等离子活化键合的材料系统
Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/ Si(热氧化)
TEOS / TEOS(热氧化)
绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge
硅/Si3N4
玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃
化合物半导体:GaAs,GaP,InP
聚合物:PMMA,环烯烃聚合物
用户可以针对上述内容和其他材料使用“佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)
EVG810 LT 低温等离子活化系统
应用:用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级衬底键合的低温等离子体活化系统
一、简介
EVG810 LT (LowTemp™)低温等离子活化系统是一个独立单腔室系统,具有手动操作功能。 处理室允许非原位处理(晶片一个接一个地激 活并且键合在等离子体活化室外部)。
二、特征
用于低温键合的表面等离子体活化(熔合/分子和中间层键合)
任何晶圆键合机制的快动力学
无需湿法工艺
低温退火时的高键合强度(高400°C)
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进封装
高度的材料兼容性(包括CMOS)
三、参数
1.晶圆尺寸:50-200mm,100-300mm
2.低温等离子活化腔:
工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)
通用大流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)
真空系统:0.09 mbar
打开/关闭腔室:自动化
装载/卸载腔室:手动(晶圆/基板放置在装载销上)
3.备选功能:
用于不同的晶圆尺寸的夹头
金属离子激 活
带有气体混合的附加工艺气体
带涡轮泵的高真空系统:0.009 mbar的基础气压
4.符合LowTemp™等离子活化键合的材料系统
Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/ Si(热氧化)
TEOS / TEOS(热氧化)
绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge
硅/Si3N4
玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃
化合物半导体:GaAs,GaP,InP
聚合物:PMMA,环烯烃聚合物
用户可以针对上述内容和其他材料使用“佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)
EVG820层压站(晶圆键合机)
应用:将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上
一、简介
EVG820层压站(晶圆键合机)用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项*的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。
二、EVG键合机特征
将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上
在载体晶片上确对准的层压
保护套剥离
干膜层压站可被集成到一个EVG 850 TB临时键合系统
三、EVG键合机技术数据
晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米
组态:1个打孔单元
底侧保护衬套剥离:层压
四、选件
顶侧保护膜剥离
光学对准
加热层压
EVG850 DB-自动解键合系统(晶圆键合机)
应用:全自动解键合,清洁和卸载薄晶圆。
一、应用
在全自动解键合机(晶圆键合机)中,经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。
二、特征
在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄的,弯曲和翘曲的晶片(解键合)
自动清洗解键合晶圆(解键合)
程序控制系统(解键合)
实时监控和记录所有相关过程参数(解键合)
自动化工具中*集成的SECS / GEM界面(解键合)
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能(解键合)
模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量(解键合)
EVG850 DB-自动解键合系统(晶圆键合机)三、技术数据
晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米;高达12英寸的薄膜面积
组态:
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
四、选件(晶圆键合机)
ID阅读
多种输出格式
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理
晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米;高达12英寸的薄膜面积
组态:
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
四、选件(晶圆键合机)
ID阅读
多种输出格式
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理
EVG 510-晶圆键合机是用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备*兼容
一、简介
EVG键合机EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。
二、EVG晶圆键合机EVG510特征:
1、*的压力和温度均匀性
2、兼容EVG机械和光学对准器
3、灵活的设计和配置,用于研究和试生产
4、将单芯片形成晶圆
5、各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)
6、可选的涡轮泵(<1E-5 mbar)
7、可升级用于阳极键合
8、开室设计,易于转换和维护
9、生产兼容
10、高通量,具有快速加热和泵送规格
11、通过自动楔形补偿实现高产量
12、开室设计,可快速转换和维护
13、200 mm键合系统的小占地面积:0.8 m 2
14、程序与EVG的大批量生产键合系统*兼容
三、EVG键合机EVG510技术数据
1、大接触力:10、20、60 k
2、加热器尺寸:150毫米、200毫米
3、小基板尺寸:单芯片、100毫米
4、真空环境:标准:0.1毫巴(可选:1E-5 mbar)
EVG620 BA自动晶圆键合机
1. 应用
用于晶圆间对准的自动化键合对准机系统,用于研究和试生产。
2. EVG620 BA自动晶圆键合对准机系统简介
EVG620键合对准机系统以其高度的自动化和可靠性而闻名,专为蕞大150 mm晶片尺寸的晶片间对准而设计。EV Group的键合对准机系统具有蕞高的精度,灵活性和易用性,以及模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG的键合对准机系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。
3. EVG620 BA自动晶圆键合机特征
①适合EVG®EVG 501®510和EVG®520 IS键合系统
②支持蕞大150 mm晶片尺寸的双晶片或三晶片堆叠的键合对准
③手动或电动对准台
④全电动高分辨率底面显微镜
⑤视窗® 基于用户界面
⑥在不同晶圆尺寸和不同键合应用之间快速更换工具
⑦选件
⑧自动对准
⑨红外对准,用于内部基板键合对准
⑩纳米对准® 增强处理能力的软件包
⑪可与系统机架一起使用
⑫升级到掩膜对准器的可能性
4. EVG620 BA键合对准机技术数据
4.1 常规系统配置
桌面
系统机架:可选
隔振:被动
4.2 对准方法
背面对准:±2 µm 3σ
透明对准:±1 µm 3σ
红外校准:选件
4.3 对准阶段
精密千分尺:手动
可选:电动千分尺
楔形补偿:自动
4.4 基板/晶圆参数
尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米
厚度:0.1-10毫米
蕞高 堆叠高度:10毫米
4.4 自动对准功能
可选的
4.5 处理系统
标准:3个卡带站
可选:蕞多5个站
EVG301-超声波晶圆清洗机-晶圆键合机
基本功能:研发型单晶圆清洗系统(晶圆清洗机)。
一、简介
晶圆清洗机EVG301半自动单晶圆清洁系统采用一个清洁工作台,使用标准DI水冲洗以及超声波,刷子和稀释化学品清洁晶圆作为额外的清洁选项。通过手动加载和预对准,EVG301 超声波晶圆清洗机是一种多功能研发型系统,可实现灵活的清洁程序,支持300 mm晶圆。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用,在晶圆键合(晶圆键合机)之前清除任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基片尺寸,以便轻松配置不同的工艺。
二、特征
使用1 MHz兆声波喷嘴或区域传感器进行高效清洁(可选)
刷子擦洗,用于单面清洁(可选)
用于晶圆清洗的稀释化学品
防止从背面到正面的交叉污染
*由软件控制清洁过程
EVG301-超声波晶圆清洗机-晶圆键合机
三、可选项
带IR检测的预键合台
用于非SEMI标准基片的工具
四、参数
1、晶圆清洗尺寸:200mm,100-300mm
2、清洗系统:
打开腔室,旋转器和清洁臂
3、腔室:由PP或PFA制成(可选)
4、清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)
5、旋转夹头:真空夹头(标准)和边缘处理夹头(可选)由金属离子和清洁材料制成
旋转:高达3000 rpm(5秒内)
6、超声波喷嘴:
频率:1 MHz(3 MHz选项)
输出功率:30 - 60 W
去离子水流量:高达1.5升/分钟
有效的清洁区域:Ø4.0mm
材质:PTFE
EVG晶圆键合自动系统
EVG560应用:全自动晶圆键合系统(晶圆键合机),用于大批量生产。
一、简介
EVG560自动化晶圆键合系统(晶圆键合机)可容纳四个键合室,并具有各种键合室配置选项,适用于所有键合工艺和大300 mm的晶圆。EVG560键合机基于相同的键合室设计,并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能,可提供高产量的生产键合。机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。
二、EVG晶圆键合自动系统特征
全自动处理,可自动装卸键合卡盘
多达四个键合室,用于各种键合工艺
与包括SmartView的EVG机械和光学对准器兼容
同时在顶部和底部快速加热和冷却
自动加载和卸载键合室和冷却站
远程在线诊断
三、技术数据
大加热器尺寸:150、200、300毫米
装载室使用5轴机器人
(晶圆键合机)多的键合模块:4个
ComBond-自动化的高真空晶圆键合系统
应用:高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合
一、简介
EVG ComBond高真空晶圆键合平台(晶圆键合机)标志着EVG*的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑,可满足市场对更复杂的集成工艺的需求。
EVG ComBond支持的应用领域包括先进的工程衬底,堆叠的太阳能电池和功率器件到端MEMS封装,高性能逻辑和“beyond CMOS”器件。EVG ComBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台,可以针对研发和高通量,大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制。
EVG ComBond(晶圆键合机)促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数(CTE)的异质材料的键合,并通过其*的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成。EVG ComBond(晶圆键合机)高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合,这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合,都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。
ComBond-自动化的高真空晶圆键合系统特征
高真空,对准,共价键合
在高真空环境(<5·10 -8 mbar)中进行处理
原位亚微米面对面对准精度
高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除
优异的表面性能
导电键合
室温过程
多种材料组合,包括金属(铝)
无应力键合界面
高键合强度
用于HVM和R&D的模块化系统
多达六个模块的灵活配置
基板尺寸大为200毫米
*自动化
三、技术数据
真空度
处理:<7E-8 mbar
处理:<5E-8毫巴
集群配置
处理模块:小3个,大6个
加载:手动,卡带,EFEM
可选的过程模块:
(晶圆键合机)键合模块
ComBond 激活模块(CAM)
(晶圆键合机)烘烤模块
真空对准模块(VAM)
晶圆直径:高达200毫米
EVG520 IS-晶圆键合系统
是单腔或双腔晶圆键合系统(晶圆键合机),用于小批量生产。
一、简介
EVG520 IS(晶圆键合机)单腔单元可半自动操作大200 mm的晶圆,适用于小批量生产应用。EVG520 IS(晶圆键合机)根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计,具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如独立的顶侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。
EVG520 IS-晶圆键合系统二、特征
全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站
兼容EVG机械和光学对准器
单室或双室自动化系统
全自动的键合工艺执行和键合盖移动
集成式冷却站可实现高产量
选项:
高真空能力(1E-6毫巴)
可编程质量流量控制器
集成冷却
三、技术数据
(晶圆键合机)大接触力:10、20、60、100 kN
加热器尺寸:150毫米、200毫米
小基板尺寸:单芯片、100毫米
真空:标准:1E-5 mbar
可选:1E-6 mbar
EVG晶圆键合机参数
大键合力
20kN
加热器尺寸
150mm(小为单个芯片) 200mm(小100mm)
真空
标准0.1mbar(可选1E-5 mbar)
EVG501-晶圆键合机 先进封装 TSV 微流控加工
基本功能:用于学术和工业研究的多功能手动晶圆键合系统。
适用于:微流体芯片,半导体器件处理,MEMS制造,TSV制作,晶圆先进封装等。
一、简介
EVG键合机EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统(晶圆键合机),可处理从单芯片到150 mm(200 mm键合室的情况下为200 mm)的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,如阳极,玻璃料,焊料,共晶,瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计,让用户能快速,轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺,转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM(量产)工具上是相同的,例如GEMINI,键合程序很容易转移,这样可以轻松扩大生产量。
二、EVG501-晶圆键合机特征
带有150 mm或200 mm加热器的键合室
*的压力和温度均匀性
与EVG的机械和光学对准器兼容
灵活的设计和研究配置
从单芯片到晶圆
各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)
可选涡轮泵(<1E-5 mbar)
可升级阳极键合
开放式腔室设计,便于转换和维护
兼容试生产需求:
同类产品中的低拥有成本
开放式腔室设计,便于转换和维护
小占地面积的200 mm键合系统:0.8㎡
程序与EVG HVM键合系统*兼容
晶圆键合机日常维护:
1、清洁保养:定期清洁设备表面、传动系统和操作界面,保持设备外部清洁。清理设备内部的积尘和异物,确保设备运行畅通。
2、润滑维护:定期对设备的传动部件进行润滑保养,确保传动系统的良好运转。注意使用适合设备的润滑油或润滑脂。
3、看护设备:定期检查设备的各个部件和传感器是否正常工作,确保设备的各项功能正常。及时更换损坏的零部件。
4、校准调试:定期对设备进行校准和调试,保证设备的精度和稳定性。校准设备的位置、力度、温度等参数。
5、定期维护:按照设备的维护手册或厂家建议的维护周期进行定期保养和维护工作,如更换滤网、清洁光学系统等。
6、培训操作人员:培训设备操作人员正确的操作流程和维护方法,提高操作人员的技能和意识,减少设备的误操作和损坏。
以上是晶圆键合机的一些日常维护工作建议,希望对您有所帮助。如果您有具体的维护问题或需要更详细的维护指导,请咨询设备的厂家或技术支持部门。
EVG820-层压系统 EVG键合机
应用:将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上
一、简介
EVG820层压站(晶圆键合机)用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项*的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。
EVG820-层压系统 EVG键合机
二、EVG键合机特征
将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上
在载体晶片上确对准的层压
保护套剥离
干膜层压站可被集成到一个EVG 850 TB临时键合系统
三、EVG键合机技术数据
晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米
组态:1个打孔单元
底侧保护衬套剥离:层压
四、选件
顶侧保护膜剥离
光学对准
加热层压
EVG850 TB-自动化临时键合系统 EVG键合机
应用:全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上
一、简介
全自动的临时键合系统(晶圆键合机)可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加,烘焙,将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具(晶圆键合机)一样,设备布局是模块化的,这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。
由于EVG的开放平台,因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂,例如旋涂热塑性塑料,热固性材料或胶带。
EVG850 TB-自动化临时键合系统 EVG键合机二、EVG键合机特征
开放式胶粘剂平台
各种载体(硅,玻璃,蓝宝石等)
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
提供多种装载端口选项和组合
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
*集成的SECS / GEM接口
可选的集成在线计量模块,用于自动反馈回路
三、EVG键合机技术数据
晶圆直径(基板尺寸):长300毫米,可能有超大的托架、不同的基材/载体组合
组态:
外套模块
带有多个热板的烘烤模块
通过光学或机械对准来对准模块
键合模块
四、选件
在线计量
ID阅读
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理
EVG 510-晶圆键合机是用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备*兼容。
一、简介
EVG键合机EVG510(晶圆键合机)是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。(晶圆键合机)这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。
EVG 510-晶圆键合机二、EVG键合机EVG510特征
*的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的设计和配置,用于研究和试生产
将单芯片形成晶圆
各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)
可选的涡轮泵(<1E-5 mbar)
可升级用于阳极键合
开室设计,易于转换和维护
生产兼容
高通量,具有快速加热和泵送规格
通过自动楔形补偿实现高产量
开室设计,可快速转换和维护
200 mm键合系统的小占地面积:0.8 m 2
程序与EVG的大批量生产键合系统*兼容
三、EVG键合机EVG510技术数据
大接触力:10、20、60 kN
加热器尺寸:150毫米、200毫米
小基板尺寸:单芯片、100毫米
真空环境:标准:0.1毫巴(可选:1E-5 mbar)
EVG850 DB-自动解键合系统(晶圆键合机)
应用:全自动解键合,清洁和卸载薄晶圆。
一、应用
在全自动解键合机(晶圆键合机)中,经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。
二、特征
在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄的,弯曲和翘曲的晶片(解键合)
自动清洗解键合晶圆(解键合)
程序控制系统(解键合)
实时监控和记录所有相关过程参数(解键合)
自动化工具中*集成的SECS / GEM界面(解键合)
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能(解键合)
模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量(解键合)
EVG850 DB-自动解键合系统(晶圆键合机)三、技术数据
晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米;高达12英寸的薄膜面积
组态:
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
四、选件(晶圆键合机)
ID阅读
多种输出格式
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理
EVG键合机EVG510(晶圆键合机)是用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备*兼容。
一、简介
EVG键合机EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。
二、EVG键合机EVG510特征
*的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的设计和配置,用于研究和试生产
将单芯片形成晶圆
各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)
可选的涡轮泵(<1E-5 mbar)
可升级用于阳极键合
开室设计,易于转换和维护
生产兼容
高通量,具有快速加热和泵送规格
通过自动楔形补偿实现高产量
开室设计,可快速转换和维护
200 mm键合系统的小占地面积:0.8 m 2
程序与EVG的大批量生产键合系统*兼容
三、EVG键合机EVG510技术数据
大接触力:10、20、60 kN
加热器尺寸:150毫米、200毫米
小基板尺寸:单芯片、100毫米
真空环境:标准:0.1毫巴(可选:1E-5 mbar)
EVG805直接键合设备应用:薄晶圆临时键合解键合,将已经键合的材料从载板上剥离。应用于TSV,储存器,CMOS,功率器件等的加工过程。
一、简介
EVG805直接键合设备是一种半自动系统,用于剥离临时键合和加工的晶圆堆叠,包括器件晶圆,载体晶圆和中间临时键合胶。该工具支持热剥离或机械剥离。薄晶圆可以卸载在单个基板载体上,以便在工具之间安全可靠地转移。
二、特征
开放的黏合剂平台
解键合选项:
热滑脱剥离
脱黏剥离
机械玻璃
程序控制系统
实时监控和记录所有相关的过程参数
薄晶圆处理的功能
各种卡盘设计,可支持zui大300 mm的晶圆/基板和载体
高表面地貌晶圆处理
EVG850 DB-自动解键合系统(晶圆键合机)
应用:全自动解键合,清洁和卸载薄晶圆。
一、应用
在全自动解键合机(晶圆键合机)中,经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。
二、特征
在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄的,弯曲和翘曲的晶片(解键合)
自动清洗解键合晶圆(解键合)
程序控制系统(解键合)
实时监控和记录所有相关过程参数(解键合)
自动化工具中*集成的SECS / GEM界面(解键合)
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能(解键合)
模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量(解键合)
三、EVG850 DB-自动解键合系统(晶圆键合机)技术数据
晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米;高达12英寸的薄膜面积
组态:
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
四、选件(晶圆键合机)
ID阅读
多种输出格式
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理
晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米;高达12英寸的薄膜面积
组态:
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
EVG键合机EVG805应用:薄晶圆解键合
一、简介
EVG805是半自动系统(晶圆键合机),用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层,该叠层由器件晶圆,载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上,以在工具之间安全可靠地运输。
二、EVG805-解键合晶圆键合机特征
1.开放式胶粘剂平台
2.解键合选项:
热滑解键合
解键合
机械解键合
3.程序控制系统
4.实时监控和记录所有相关过程参数
5.薄晶圆处理的*功能
6.多种卡盘设计,可支撑大300 mm的晶圆/基板和载体
7.高形貌的晶圆处理
三、EVG805-解键合晶圆键合机技术数据
晶圆直径(基板尺寸):晶片大300 mm、高达12英寸的薄膜
组态:1个解键合模块
四、选件
1.紫外线辅助解键合
2.高形貌的晶圆处理
3.不同基板尺寸的桥接能力
EVG850 TB-自动化临时键合系统 EVG键合机
应用:全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上
一、简介
全自动的临时键合系统(晶圆键合机)可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加,烘焙,将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具(晶圆键合机)一样,设备布局是模块化的,这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。
由于EVG的开放平台,因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂,例如旋涂热塑性塑料,热固性材料或胶带。
EVG850 TB-自动化临时键合系统 EVG键合机二、EVG键合机特征
开放式胶粘剂平台
各种载体(硅,玻璃,蓝宝石等)
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
提供多种装载端口选项和组合
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
*集成的SECS / GEM接口
可选的集成在线计量模块,用于自动反馈回路
三、EVG键合机技术数据
晶圆直径(基板尺寸):长300毫米,可能有超大的托架、不同的基材/载体组合
组态:
外套模块
带有多个热板的烘烤模块
通过光学或机械对准来对准模块
键合模块
四、选件
在线计量
ID阅读
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理
EVG810 LT 低温等离子活化系统用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级衬底键合的低温等离子体活化系统
一、简介
EVG810 LT (LowTemp™)低温等离子活化系统是一个独立单腔室系统,具有手动操作功能。 处理室允许非原位处理(晶片一个接一个地激活并且键合在等离子体活化室外部)。
二、特征
用于低温键合的表面等离子体活化(熔合/分子和中间层键合)
任何晶圆键合机制的快动力学
无需湿法工艺
低温退火时的高键合强度(z高400°C)
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进封装
高度的材料兼容性(包括CMOS)
EVG量产型光刻机系统
简要描述:光刻机Track系统通过集成的生产系统和结合掩模对准和曝光以及集成的预处理和后处理的高度自动化功能,完善了EVG光刻机产品系列。HERCULES光刻机Track系统基于模块化平台,将EVG已建立的光学掩模对准技术与集成的清洁,光刻胶涂层,烘烤和光刻胶显影模块相结合。将HERCULES平台变成了“一站式服务",在这里将经过预处理的晶圆装载到工具中,然后将结构化的经过处理的晶圆退回。
1. 集成光刻系统
光刻机Track系统通过集成的生产系统和结合掩模对准和曝光以及集成的预处理和后处理的高度自动化功能,完善了EVG光刻机产品系列。HERCULES光刻机Track系统基于模块化平台,将EVG已建立的光学掩模对准技术与集成的清洁,光刻胶涂层,烘烤和光刻胶显影模块相结合。将HERCULES平台变成了“一站式服务",在这里将经过预处理的晶圆装载到工具中,然后将结构化的经过处理的晶圆退回。
2. HERCULES量产型光刻机系统(Lithography Track System)
这里所描述的HERCULES ®是一个高容量的光刻机系统平台,整合整个光刻工艺过程在一个系统中,缩小处理步骤和减少了对操作员的依赖。
3. 技术数据
HERCULES基于模块化平台,将EVG已有的光学掩模对准技术与集成的晶圆清洗,光刻胶涂层,烘烤和光刻胶显影模块相结合。HERCULES支持各种晶片尺寸的盒到盒处理。HERCULES安全地处理厚的,弯曲的,矩形的,小直径的晶片,甚至是设备托盘。精密的顶侧和底侧对准以及亚微米至超厚(蕞大300微米)光刻胶的涂层可用于夹层和钝化应用。出色的对准台设计可实现高产量的高精度对准和曝光结果。
4. 特征
1)生产平台以蕞小的占地面积并集成了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优点
2)多功能平台支持各种形状,尺寸,高度变形的模具晶片甚至托盘的全自动处理
3)高达52,000 cP的涂层可制造高度高达300微米的超厚光刻胶特征
4)CoverSpin 旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层均匀性
5)OmniSpray 涂层,用于高地形表面的优化涂层
6)NanoSpray 用于涂层和保护通孔结构
7)自动掩模处理和存储
8)光学边缘曝光和/或溶剂清洁以去除边缘颗粒
9)使用桥接工具系统对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理
10)返工分拣晶圆管理和灵活的盒子系统
11)多用户概念(无限数量的用户帐户和配方,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)
图1 光刻结果
5. 技术数据
5.1 对准方式
上侧对准:≤±0.5 µm
底侧对准:≤±1,0 µm
红外校准:≤±2,0 µm,具体取决于基板材料
5.2 先进的对准功能
手动对准
自动对准
动态对准
5.3 对准偏移校正
自动交叉校正/手动交叉校正
大间隙对准
5.4 工业自动化功能
盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理
5.5 曝光源
汞光源/紫外线LED光源
5.6 曝光设定
真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式
5.7 楔形补偿
全自动-SW控制
非接触式
5.8 曝光选项
间隔曝光/批量曝光/扇区曝光
5.9 系统控制
操作系统:Windows
5.10 文件共享和备份解决方案/无限制的配方和参数
多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR
5.11 实时远程访问,诊断和故障排除
我们的公司
专注产品多年,集设计、生产、施工、调试等于一体的高科技企业。
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