东莞市睿腾微电子设备有限公司简介

1、DISCO划片减薄设备维修保养及配件

2、佳能、尼康光刻机全系列拆、装、改造、翻新、售后维修保养及配件服务

3、半导体前道设备ACI 陶瓷、石英、蓝宝石配件、应用于KLA TENCOR, AMAT, LAM等进口品牌，产品应用于PVD,CVD,离子注入、光刻机、刻蚀设备等。

4、销售回收二手半导体设备、工业机器人、超精密数控设备、锂电设备、电池PACK线、及整厂二手设备回收销售。

5、维修DISCO/OKAMOTO/TSK主轴、驱动、马达、CPU板、测高板、刀片翻新提供划片、研磨周边配套设备升级改造，非标方案定制等服务。切割研磨周边配件耗材及相关设备、零配件维修销售。

产品库存丰富，型号齐全。凭借成熟的供应渠道，相比行业内我们的渠道价格优势较强、交货周期快。如果您对我们的产品和服务有任何兴趣欢迎您随时与我们联系。

睿腾微电子设备有限公司产品中心

二手DISCO设备

DISCO切割、减薄、配件佳能光刻机、配件、维保ACI半导体设备陶瓷应用配件供应半导体封测设备

二手设备

库卡及ABB配件供应

承接技术服务

全自动晶圆研削机详情介绍

一、设备概述

DFG8560是DFG800系列的升级换代产品，既具备800系列的技术规格和性能。又在设备重量方面取得了重大改进。通过优化研削及搬运系统的参数，

DFG8560实现了稳定的超薄研削加工，适用于支撑晶圆工艺进化，迈向更薄、更大口径的晶圆研削。

支撑晶圆工艺进化：该机型能够支持直径达到300毫米的晶圆研削，适应了更薄、更大口径晶圆的加工需求。

超薄晶圆的精密研削：通过优化研削及搬运系统的参数，Disco8560实现了100微米以下超薄晶圆的稳定研削加工。

二、主要用途

DFG8560主要用于制造集成电路、功率半导体器件、传感器和微机械系统，适用于Φ300mm的晶圆研削，具备2个主轴和3个卡盘表，

支持DBG晶圆减薄工艺。

三、技术参数

1.设备类型：                         全自动晶圆研削机

2.作用对象：                         晶圆

3.最大加工晶圆尺寸：           Φ300mm

4.主轴数量：                         2个

5.卡盘表数量：                     3个

6.兼容机型：                         DFG800系列

7.设备尺寸：                         约1400X3190X1800mm

8.研磨精度：

①单片晶圆内厚度误差：极小，通常控制在微米级，如1.5μm以下

②晶圆间厚度误差：同样控制在微米级，确保批量加工的晶圆具有一致的厚度

③表面粗糙度：Ry值可达到0.13μm（使用#2000砂轮完成）或0.15μm（使用#1400砂轮完成）

9.砂轮规格： 金刚石砂轮，直径可达300mm

10.额定输出： 4.8kW

11.研磨速度范围：  可调节范围广泛，通常从1,000转/分钟至7,000转/分钟

DAD322详情介绍

disco322切割机采用高性能的MCU来提升软件运作速度及操作反应速度，实现了X，Y，Z轴的高速化和生产效率的提高。

X轴500 Y轴150  Z轴30 mm/s

最大可对应6英寸方形的加工物，搭载了高转矩2.0 kW主轴的单轴切割机。

采用Y轴光栅尺规格可实现高精度的步进控制，可对应玻璃､陶瓷等难切削材料的加工。

详细参数：

最大加工物尺寸：Φ6英寸 / 150 mm × 150 mm

切割精度：±1μm

切割速度：100mm/s

外形尺寸：500 mm × 900 mm × 1600 mm（宽度、深度、高度）

重量：约420 kg

DISCO 3350是一款高性能的全自动切割机，广泛应用于各种加工需求，特别是在半导体和光学元件的加工领域。以下是DISCO 3350的详细参数描述：

1.加工能力：DAD3350可以加工最大边长为250mm的方形工作物。

2. 主轴配置：该设备标准配置了输出功率为1.8 kW的主轴，还可以选择高扭矩主轴（2.2 kW）作为特殊选配。使用2.2 kW主轴时，可以装配Ø5英寸切割刀片，对硅或难加工材料进行切割加工。

3. 加工质量：DAD3350采用高刚性门式结构，为了抑制热伸缩及振动的影响，改变了主轴的支撑点位置，将支撑点移向主轴的前部，有效地提高了加工稳定性。

4.新功能：装配了自动校准、自动对焦、自动检查刀痕宽度等高级影像识别系统，提高了生产效率。为防止粉尘等污物污染显微镜镜头，新增了喷气气帘和镜头专用挡板。

基本规格：

最大加工边长：                      Φ8 inch (250 mm × 250 mm, Φ300 mm用户指定规格)

主轴输出功率：                      标准配置1.8kW，特殊选配2.2kW高扭矩主轴

X轴切割范围：                        260mm

切割速度：                              0.1 ～ 600 mm/s

Y轴切割范围：                        260mm

索引步进：                              0.0001mm

索引定位精度：                       0.002/260 (单误差) 0.002/5

Z轴最大行程：                        32.2mm (1.8 kW) / 31.4mm (2.2 kW)

移动分辨率：                           0.00005mm

重复定位精度：                       0.001mm

θ轴最大旋转角度：                 380度

主轴额定扭矩：                       0.29 N・m (1.8 kW) / 0.70 N・m (2.2 kW)

主轴转速范围：                       6,000 ～ 60,000 min‐1 (1.8 kW) / 3,000 ～ 30,000 min‐1 (2.2 kW)

设备尺寸(W×D×H)：              900 × 1,050 × 1,800mm

设备重量：                               约1,200kg

FPA 2500 i3晶片步进器详情介绍

是一种高性能、高精度的晶片步进器，适用于先进的半导体器件生产。

光源：                                                               i-Line (365nm) Stepper

分辨率：                                                           0.40µm

数值孔径：                                                       0.60 ~ 0.54

适用的光罩尺寸：                                            6-in. (0.25-in. thick); optional 5 in.

曝光比例：                                                      '5:1

视场大小：                                                       20mm x 22.5mm

套刻精度:                                                          M+3σ ≤55nm

每小时产出:                                                      100wph (8-in)

FPA 2500 i2高性能步进器详情介绍

FPA 2500 i2是一种高性能步进器,可提供高精度、吞吐量和用户友好的控制。

它是专为纳米加工和半导体工艺而设计的。

光源：                                                                 i-Line (365nm) Stepper

分辨率：                                                             0.45µm

数值孔径：                                                          0.54

适用的光罩尺寸：                                               6-in. (0.25-in. thick); optional 5 in.

曝光比例：                                                         '5:1

视场大小：                                                         22mm x 26mm

套刻精度:                                                            M+3σ ≤55nm

每小时产出:                                                        100wph (8-in)

晶圆步进器用于4寸及8寸生产线

是一种最先进的晶圆步进器,提供半导体制造的精确对准和曝光技术

光源：                                         i-Line (365nm) Stepper

分辨率：                                     0.80µm

数值孔径：                                  0.7~0.24

适用的光罩尺寸：                       6-in. (0.25-in. thick)

曝光比例：                                 '2:1

视场大小：                                  50mm x 50mm

套刻精度:                                     M+3σ ≤100nm

每小时产出:                                 115wph (8-in)

详情介绍

不仅能够应用于半导体器件制造，也可以在最先进的 XR 器件显示器制造等更广泛的器件制造领域发挥其作用

光源：                                                    i-Line (365nm) Stepper

分辨率：                                                0.50µm

数值孔径：                                            0.37 ~ 0.28 

适用的光罩尺寸：                                 6-in. (0.25-in. thick)

曝光比例：                                            '2:1

视场大小：                                             50mm x 50mm

套刻精度:                                                M+3σ ≤60nm

每小时产出:                                            160wph (8-in)-120wph (12-in)

FPA-3000i5详情介绍

主要用于6寸及8寸生产线

广泛用于MEMS、LED、功率器件、化合物半导体等行业

光源：                                              i-Line (365nm) Stepper

分辨率：                                          0.35µm

数值孔径：                                      0.63 ~ 0.45 

适用的光罩尺寸：                           6-in. (0.25-in. thick); optional 5 in.

曝光比例：                                      '5:1

视场大小：                                      22mm x 22mm

套刻精度:                                         M+3σ ≤40nm

每小时产出:                                     100wph (8-in)

FPA-3000EX6详情介绍

主要用于6寸及8寸生产线

广泛用于MEMS、LED、功率器件、化合物半导体等行业 

光源：                                 KrF excimer laser (248nm)

分辨率：                              0.15µm

数值孔径：                          0.65~0.50

适用的光罩尺寸：               6-in. (0.25-in. thick)

曝光比例：                          '5:1

视场大小：                          22x22mm or 22x26mm 

套刻精度:                            M+3σ ≤25nm

每小时产出:                         117wph (12-in)

FPA-3000i4详情介绍

主要用于6寸及8寸生产线

广泛用于MEMS、LED、功率器件、化合物半导体等行业

光源：                              i-Line (365nm) Stepper

分辨率：                          0.35µm

数值孔径：                      0.63 ~ 0.45 

适用的光罩尺寸：           6-in. (0.25-in. thick); optional 5 in.

曝光比例：                      '5:1

视场大小：                      22mm x 26mm

套刻精度:                        M+3σ ≤40nm

每小时产出:                    100wph (8-in)

FPA-5500iz详情介绍

主要用于8寸及12寸生产线

广泛用于MEMS、LED、功率器件等行业

光源

i-Line (365nm) Stepper

分辨率

0.35µm

数值孔径

0.57 ~ 0.45 

适用的光罩尺寸

6-in. (0.25-in. thick)

曝光比例

'4:1

视场大小

26mm x 33mm

套刻精度

M+3σ ≤40nm

每小时产出

160wph (8-in)-100wph (12-in)

FPA-2000i1详情介绍

机械与控制系统

晶圆尺寸：支持 5 英寸晶圆

配备 14 个插槽的光罩更换器，满足不同工艺需求。

工作站配置：HP1000

配备主软件版本 v5.25b 和 GEM 软件版本，支持自动化生产控制。

环境与设施要求

电源：3 相，415 VAC

需要稳定的工业级电源供应。

压缩干燥空气（CDA）：3 × 100 psi

提供清洁的压缩空气，确保设备正常运行。

冷却水：压力 1-5 kg/cm²

需要稳定的冷却水供应，以维持设备温度。

真空度：≤ 550 mmHg

提供必要的真空环境，支持光刻过程中的对准和固定。

应用领域

专为 16M DRAM 的大规模生产设计，满足半导体行业的高精度需求。

光源

i-Line (365nm) Stepper

分辨率

0.6µm

适用的光罩尺寸

5"

曝光比例

5:01

视场大小

20mm x 20mm

套刻精度

M+3σ ≤60nm

北京精雕Carver 600TE详情介绍

控制系统：采用北京精雕自主研发的JD50数控系统，支持高速高精加工，具备五轴联动功能

核心性能参数

主轴系统：

主轴转速：200-24,000 RPM，适合不同材料的加工需求。

主轴功率：5.5-7.5 kW，提供稳定的切削动力。

主轴锥度：BT30或HSK-A63（高精度锥柄，确保刀具夹持刚性）。

行程范围：

X/Y/Z轴行程：600 mm × 500 mm × 420 mm，适合中小型工件的加工。

重复定位精度：±0.003 mm。

最大切削进给速度：10-15 m/min。



机械结构特点

床身结构：采用高刚性铸铁床身，经过时效处理，减少振动和变形，确保长期稳定性。

传动系统：

X/Y/Z轴驱动：采用高精度滚珠丝杠和直线导轨，配合交流伺服电机，实现高精度、高速度的运动控制。

快速移动速度：24-36 m/min。

刀库系统：

刀库容量：12-24把刀，支持自动换刀，提升加工效率。

换刀时间：≤2秒。

加工能力

加工材料：适用于铜、铝、钢、石墨、陶瓷等材料的精密加工，尤其擅长模具电极、五金零件、3C产品外壳等加工。

加工精度：

定位精度：±0.005 mm

表面粗糙度：Ra≤0.8 μm

荷兰汉布雷格MIKROTURN超级精密卧式数控硬切削车床

详情介绍

最大车削直径 Ф380mm

最大车削长度 350 mm

两顶尖之间最大零件尺寸 Ф130X350mm

最大工件重量，包含夹具 50KG

最大主轴转速 4000rpm

主轴功率 7.5Kw

主轴扭矩 50Nm

主轴跳动 0.1μm

X轴行程 240mm

Z轴行程 350mm

最大进给速度 10m/min

工进速度 0-10m/min

数控系统分辨率 0.01μm

定位精度 1μm

重复定位精度 0.2μm

日本精密坐标磨床

半导体设备光刻机

半导体设备刻蚀机

半导体封测设备

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