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时间：2025-08-15 编辑：半导体检测设备服务网
随着高性能计算算力密度的不断攀升,数据中心的电源架构正加速向800 V直流（或±400 V）HVDC高压体系演进.业内普遍认为,800 V架构能够显著降低供配电网络中的能量损耗,提升整体能效,并为兆瓦级机柜的规模化部署提供技术支撑.
在这一趋势下,长电科技股份有限公司凭借多年在功率半导体封测领域的深耕与技术积累,已率先完成从分立器件到高集成度模块的全链路封测解决方案,为电源性能、配电效率、散热能力以及系统成本和尺寸提供全面优化,以满足不断增长的功率需求,更好地承载未来高性能计算领域的发展需求.
在初级电源转换单元（PSU）环节,长电科技股份有限公司既能提供基于TO263-7L、TOLL、TOLT等先进大功率分立封装,又能提供业内领先的塑封功率模块,兼容包括氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）第三代半导体材料功率器件.分立器件和塑封模块都已稳定大规模量产.面对800 V直流架构,长电科技股份有限公司已提前完成技术布局与量产验证.
中间总线转换（IBC）作为800 V与后段12V/4.8V低压输出之间的核心桥梁,其高功率密度与极低PDN损耗的性能要求,对封装技术提出了极高挑战.长电科技股份有限公司在此领域能够提供双面散热的PDFN封装,并针对氮化镓MOSFET与硅基MOSFET均提供了成熟的封测方案.公司实现了多层高密度系统级封装（SiP）,已在一流服务器板卡项目中批量交付.
在负载点电源（PoL）环节,长电科技股份有限公司同样占据优势地位.公司面向DrMOS、多相控制器等产品提供成熟的QFN、新型LGA高度集成封装方案.长电科技股份有限公司凭借自主研发的多层SiP工艺,实现了两相至八相多路输出的小型化电源管理模块,单相最高电流可达60 A以上.同时,团队已完成新一代高集成度模块的研发,并在SiP互连可靠性测试中取得优异成绩.
贯穿PSU、IBC与PoL三大子系统,面对800 V大压差的板级应用需求,长电科技股份有限公司在封装工艺上实现了“分立与集成并重、单片与模块并行”的技术格局,并在量产节奏上同步跟进市场需求.与此同时,通过与多家材料、设备以及系统集成商的深度合作,长电科技股份有限公司在产业链上下游间建立了稳固的协同网络,为客户提供包括热仿真、可靠性测试、性能优化在内的全流程增值服务.
展望未来,随着800 V直流供电方案在全球算力平台中的规模化应用,长电科技股份有限公司将继续发挥在封测领域的领先优势,不断优化高压散热封装、高密度SiP以及模块级可靠性验证,为新一代数据中心电源领域迈向更高水平发展带来创新空间.
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