ADT光力瑞弘电子科技有限公司，注册资金50000万元，是A股上市企业光力科技股份有限公司（光力科技，300480）的全资子公司，专业从事半导体划切设备的研发、生产与销售。

光力科技从能源安全生产物联网监测设备业务起家，凭借核心技术实力树立行业领先地位。2016-2021年收购半导体划片机发明者英国LP公司（Loadpoint）和划片机核心零部件空气主轴公司LPB（Loadpoint Bearings），并收购全球第三大划片机公司以色列ADT，进军半导体后道封测装备划片机领域。

2021年，公司实现了从无到有、从1到N的快速转变，形成了物联网业务和半导体装备业务并驾齐驱的战略布局。

英国LP是半导体划片机的发明者，积累了深厚的半导体封装领域先进精密切割技术经验，在加工超薄和超厚半导体器件领域拥有领先优势。英国LPB的空气主轴产品一直处于业界领先地位，日本Disco和东京精密公司在二十多年前都是LPB的用户。

 LPB基于空气承载的主轴定位精度达到了纳米级（通常在10纳米以下），具备超高运动精度、超高转速和超高刚度的突出优势。公司实现对LP和LPB的收购后，完成从装备到核心零部件的全面布局，为公司推进半导体划片机装备本土化奠定了坚实的技术基础。

ADT前身为美国库力索法半导体有限公司（K&S）

切割设备及刀片部门。

ADT在半导体后道封装设备领域已有几十年的经验，在半导体切割划片精度方面处于行业领先水平。其自主研发的划片机最关键的精密控制系统可以对步进电机实现低至0.1微米的控制精度；同时ADT公司的生产刀片在业界处于领先地位，客户认知度较高。

ADT客户覆盖全球主要市场，包括中国大陆、中国台湾、美国、欧盟、马来西亚、菲律宾和以色列等。

ADT直接对标世界龙头厂商先进的300mm晶圆切割划片设备系列

进行本土化产品研发。

通过海外并购掌握划片机核心技术后，ADT直接对标世界龙头厂商先进的300mm晶圆切割划片设备系列进行本土化产品研发。

本土化8230机型使用LPB生产的高度适配空气主轴，在拥有高转速的同时提供超低振动表现，极大减少切割过程对晶体内部造成的应力损伤，减少晶圆崩边和晶体损伤现象的发生；采用双主轴布局，支持多种切割模式，大幅提升机器的切割效率；标配有刀片破碎检测单元与非接触式测高系统，配合BBD全新升级算法，实现自动刀痕检测与更高精度的拉直结果，使其有能力制备更高密度，更高性能的集成电路芯片，并进一步提高芯片良率。

目前，ADT8230全自动双轴12吋切割机已在长电科技、华天科技、嘉盛半导体、泰睿思、捷敏电子、日月新等知名封测大厂广泛应用，设备精度、切割良率、切割效率等均得到用户认可，并形成重复采购。

应用方案

切割解决方案

先进切割技术有限公司（ADT），为客户提供全方位的切割解决方案。

我们深耕晶圆切割领域超过35年，拥有先进的刀片设计技术和一流的生产设施，产品可以胜任各种新应用，满足任何切割要求。

我们的全球应用实验室和客户生产现场毗邻而居，配备先进的切割系统、外围设备和优质的测量工具，可以根据客户严苛的要求，提供量身定制的解决方案。

ADT团队经验丰富，锐意进取，不惧任何挑战。

半导体封装元件切割方案介绍

“阵列基板种类越来越多，也日趋复杂，对后端工艺提出了严峻的挑战。将这些阵列基板切割成单个封装是制造过程中一个重要的步骤，在许多情况下，需要进行优化，最大限度地降低封装的总体成本。随着封装尺寸的不断缩小，而产量和质量要求并未随之降低，许多阵列基板开始抛弃原先的剪切/冲压技术，转而使用切割技术。封装尺寸的缩小也影响到下游拾取-放置单元的集成，但这一问题超出了本文讨论的范围。全球装配工厂，包括很多独立封装代工厂（IPF）陆续搬迁到中国，因此，基板切割的趋势预计将对中国产业带来重大的影响。

以色列先进切割技术有限公司拥有30年的切割经验，为需要切割各种封装的客户开发了特定的流程，比如低温共烧陶瓷（LTCC）封装、表面声波装置、适于用图像传感器的晶圆级封装、球栅阵列封装（BGA）、四方无引脚封装（QFN）。

四方无引脚封装（QFN）使用复杂的基材，由延性（铜）和脆性（塑料模制）材料组成，体现了封装尺寸小型化和切割质量持续提升的趋势。全球QFN需求约为每年10亿只，预计年增长率达到20-30%。此部分的增加将挤占其他封装的需求，比如小外型集成电路（SOIC）等。以色列先进切割技术有限公司已经确定QFN的巨大潜力，并在过去三年里投入了大量的资源，根据客户的需求，为他们提供了全面的切割解决方案。”

摘自“基板切割工艺”

Ramon J. Albalak博士，前研发及工程经理

球栅阵列封装(BGA)

方案描述

球栅阵列封装以环氧树脂（FR4/5）或BT树脂作为基板，采用打线接合（wire-bonded）或覆晶（flip-chipped）将晶粒连接到基板。晶粒背面通常封装到环氧树脂中，封装没有引脚，通过焊球阵列连接到PCB。典型厚度为0.9 – 2.0 mm（包括焊球）。 常见的包装尺寸为4×4 – 20×20 mm。

主要注意事项

切割质量

崩边

碎片

凸块

迹线缺失

刀片寿命结束

封装尺寸

刀刃露出部分结束

切割设备

7223，全自动切割系统，内置清洁和紫外线固化，加长Y行程，适合双面大尺寸QFN，2.4KW高扭矩主轴。

刀片

2”及3”烧结刀片，”42”、”B”、”A”基质，2” Novus” B”系刀片，适合胶带和夹具固定的基材

金刚石磨粒尺寸：30 – 55微米

厚度：.008” – .014”

工艺参数

切割速度：75-200 mm/sec

主轴速度：2 “：30-45 krpm 、 3” : 20-30 krpm 、 4” : 10-16 krpm

多面板，采用UV胶带

磨刀量小，避免刀刃半径过大

四方扁平无引脚(QFN)封装方案描述

四方扁平无引脚（QFN）封装基于铜导线架，使用半封装技术，使晶粒后侧暴露在外。典型的晶粒尺寸为3×3 – 10×10 mm，但目前的趋势是尺寸越来越小。

主要分为三类：

Power QFN：厚度1.5-2.5mm（~0.5mm铜导线架）

标准HE QFN：厚度0.8-1.2mm （最大0.2mm铜导线架）

Thin QFN：厚度0.4-0.6mm（最大0.15mm铜导线架）

主要注意事项

切割质量

崩边

毛刺

导线碎屑

熔融

脱层

刀片寿命

通常在暴露部分用尽时结束寿命

切割设备

7223，全自动切割系统，内置清洁和紫外线固化，加长Y行程，适合双面大尺寸QFN，2.4KW高扭矩主轴。

刀片

2″、3″和4″树脂刀片 “E”、”T”和”D”基质，烧结刀片”Q”基质

金刚石磨粒尺寸：45 – 105微米（树脂刀片），40 – 55微米（烧结刀片）

厚度：.008″- .020”

工艺参数

切割速度：半蚀刻基材30-100 mm/sec，全铜基材10-40 mm/sec

主轴速度：2 “：25-30 krpm 、 3” : 15-25 krpm 、 4” : 8-15 krpm

多面板，采用UV胶带

刀片准备：主要是在某个基材上进行预切割（override），直到达到最终进料速度

低温共烧陶瓷应用(LTCC)方案描述

低温共烧陶瓷（LTCC）基材使用耐火膜带与印制导线彼此叠加，采用共烧步骤制作而成。产品具有较低的介电常数和介电损耗，可以在多层结构中嵌入多层组件。

主要注意事项

切割质量

陶瓷碎片

裂痕

金属毛刺

封装尺寸

切割设备

自动（7120系列）或全自动（7220系列）切割（切割）系统。

可处理大面积，完全支持多面板。

自动高度补偿，提高生产量，自动步进应对面板尺寸变形。

刀片

2″、3″和4 “树脂刀片，”Q”和”K”基质

金刚石磨粒尺寸：15 – 30微米

厚度：.008” – .020”

工艺参数

切割速度：5-25 mm/sec

主轴速度：10-40 krpm，取决于刀片外径

多面板，采用UV胶带

封装应用(LED)方案描述

LED封装通常由安装LED的基材组成，市面上常见的基材是：陶瓷、PCB和QFN

主要注意事项

崩边

裂痕

铜或硅毛刺

碎屑

脱层

切割设备

7132或7900LA，自动化，质量控制，使用大面积切割卡盘，自动视觉功能，可处理多面板

刀片和工艺参数

ADT根据封装类型：陶瓷、PCB和 QFN，定製了切割解决方案

半导体切割

方案描述

晶圆片切割过程的优化涉及到对许多直接和间接受材料硬度、脆性和厚度等性能影响的变量的精确控制。随着砷化镓、锂钽甚至铜等新型晶圆材料加入标准硅的行列，半导体制造商在维持和提高切割生产率方面面临着新的、更大的挑战。

在ADT，我们不断开发方法来量化和调节切割刀片材料和特性，以改善和提高切割质量、刀片寿命和产量。

LED砷化镓应用方案描述

砷化镓（GaAs）是一种直接能隙半导体材料，可以发光，因此常用于LED行业。 砷化镓具有高速性能，非常适合于移动电话等射频装置，以及用于雷达和智能武器等军事用途的微波装置。由于含有较高量的砷，因此，具有一定的危险性。

主要注意事项

切割质量：顶侧和背侧碎片

材料结晶结构导致裂纹

GaAs粉尘的毒性

切割设备

自动（7120系列/7900 Duo）或全自动（7220系列）切割（切割）系统，具有非常高的自动化水平，完善的过程控制能力。

刀片

2″镍轮毂刀片

金刚石磨粒尺寸：0-2、0.5-2、0.5-3和2-4微米

厚度：.0006″- .0014″

工艺参数

切割速度：2-10 mm/sec （一个或两个步骤）

主轴速度：30-45 krpm

冷却类型：仅使用去离子（DI）水

装载方式：UV或蓝色胶带

适当的通风和抽吸系统

适当处理废水

磨刀量小，避免刀刃半径过大

硅晶圆和分立器件方案描述

硅是最常用的半导体材料，它是一种灰色脆性材料，具有钻石立方体结构。硅晶圆的直径最大为12″，最常见的尺寸为6″和8″。 典型的厚度为：100-650微米。

主要注意事项

切割质量：顶侧和背侧碎片

裂痕

因ESD问题和清洁不良造成的晶圆污染

切割设备

7222，全自动切割系统，配备WX3晶圆处理系统，实现更佳的生产量和原子化清洁，或者7900 Duo型双轴自动切割系统，实现双倍生产量

刀片

2″轮毂和环形镍刀片

金刚石磨粒尺寸

2-4至4-8微米

厚度：.0008″- .0014″

工艺参数

切割速度：25-75 mm/sec

主轴速度：30-50 krpm

装载方式：蓝色或UV胶带

冷却类型：去离子（DI）水（含和不含添加剂）

二氧化碳发泡机：可选

微电子元件(MEC)方案描述

微电子行业不断寻找方法，以便在各种复杂的切割应用中提高产量。提高切割质量和生产量是其中努力的一个方向。与此同时，也引进了一些需要新工艺的新材料（刀片和切割设备）。除此之外，行业还在不断缩小晶粒尺寸，以便大限度地增加基材的晶粒数量。为实现这些目标，我们有必要优化切割过程。

“微电子基板切割工艺优化”

Gideon Levinson，高级切割刀片研发专家

陶瓷（氧化铝）方案描述

一种氧化铝组成的陶瓷材料，典型浓度为96-99.6%。 其硬度随着氧化铝浓度的增加而增加，高电阻和高热阻、高机械强度、良好的电气特征，高频率下低电介质损失。 典型的厚度为0.1 – 5.0 mm。

主要注意事项

切割质量

崩边

裂痕

切割设备

自动（7120系列）或全自动（7220系列）切割（切割）系统，具有非常高的自动化水平，完善的过程控制能力，大尺寸刀片，最大5英寸，实现较佳的拥有成本，自动高度补偿，提高生产量。

刀片

2″、3″和4 “树脂刀片，”Q”、”R”和”C”基质

金刚石磨粒尺寸：45 – 88微米

厚度：.006″- .012”

工艺参数

切割速度：4-20 mm/sec

主轴速度：2 “和3” ：20-30 krpm     4″：10 – 16 krpm

多层陶瓷电容器(MLCC)方案描述

绿色陶瓷，基本电容器，由两个导电电极组成，导电电极由绝缘介电材料隔开。 多层陶瓷电容器由高电容陶瓷材料薄层之间大量密集的平行电极组成。

主要注意事项

“干”切作业产生粉尘滋扰

刀片堵塞

碎屑和层缺失

切割设备

7124，高度自动化，大尺寸刀片，降低生产成本

刀片

4″镍（标准或锯齿边缘）和钢芯镍刀片

金刚石磨粒尺寸：30 – 70微米

厚度：.006″- .014″

工艺参数

切割速度：50-250 mm/sec

主轴速度：12-18 krpm

“干”切和”湿”切

磨刀相对频繁，以清洁碎片

玻璃方案描述

二氧化硅非晶态形式，具有或不具有饰变，是一种硬质、脆性、透明的材料，可作为各种应用的基材。 特定类型包括石英玻璃、硼硅酸盐玻璃和无碱玻璃。 典型厚度为0.3-5 mm，带或不带防护涂层和光学涂层。

主要注意事项

切割质量

顶侧和背侧碎片

切割垂直度

刀痕侧表面处理

切割设备

7122，7124，高度自动化，配备过程控制工具，优化的刀片尺寸，最大5英寸，实现较低的生产成本。

刀片

2″和4″树脂刀片，”Q”和”E”基质，Novus烧结刀片，”I”系列

金刚石磨粒尺寸：15 – 53微米（树脂） 、6 – 25微米（烧结）

厚度：.002″- .012″

工艺参数

切割速度：2-15 mm/sec

主轴速度：2″：18-30 krpm

4″ : 8 – 16 krpm

切割添加剂可减少碎屑并提高表面光洁度

锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)方案描述

钛酸铅（PZT）是一种具有压电特性的陶瓷材料（该材料因变形/压力而产生电荷）。常见的应用是医疗行业的超声波成像。 在大多数应用中，PZT垂直切割，形成一系列浅切口。

主要注意事项

非常紧密的刀痕宽度公差

刀痕垂直度

侧壁断裂

崩边

高暴露/厚度比

切割设备

7122，具有非常高的自动化水平，高精度，配备完善的过程控制工具。

刀片

2″轮毂或环形镍刀片，”P”基质

金刚石磨粒尺寸：3-6 至 6-8微米

厚度：.0008″- .0030″

工艺参数

切割速度：1-6 mm/sec

主轴速度：20-30 krpm

印刷电路板(PCB)

方案描述

印刷电路板（PCB）由铜层和FR4/5或BT树脂组成，是一种安装基板。 典型的厚度为0.3 mm – 2 mm

主要注意事项

切割质量

铜毛刺

碎屑

切割设备

自动（7120系列）或全自动（7220系列）切割（切割）系统，具有非常高的自动化水平，可处理大面积，具有完善的过程控制工具

刀片

2″和4″镍刀片（锯齿和标准边缘），”T”、”V”和”Z”基质

金刚石磨粒尺寸：10、13 – 17微米

厚度：.003″ – 0.008″

工艺参数

切割速度：50-150 mm/sec

主轴速度：2″：25-30 krpm

4″: 12 – 20 krpm

声表面波器件(SAW)方案描述

表面声波元件（SAW）利用压电材料，将声波（即机械波）转换成电磁信号，或者将电磁信号转换成声波。 目前，常见的表面声波元件是SAW 带通滤波器（SAW BPF），根据频率对信号进行排序。 使用广泛的基质是脆性材料，如石英（SiO2）、铌酸锂（LiNbO3）和钽酸锂（LiTaO3）。

主要注意事项

切割质量

崩边

切割设备

自动（7120系列）或全自动（7220系列）切割（切割）系统，具有非常高的自动化水平和完善的过程控制能力。

刀片

石英：

2″”树脂刀片，””Q””、””K””和””Z””基质，25-53微米

铌酸锂和钽酸锂：

2″”树脂刀片，””Q””和””K””基质，9 – 30微米

2″”镍轮毂刀片，4-8微米

工艺参数

石英：

切割速度：2-10 mm/sec

主轴速度：25-30 krpm

铌酸锂和钽酸锂：

切割速度：0.1-5 mm/sec

主轴速度：25-30 krpm

工艺流程方案

工艺流程

拥有超过35年的行业经验，擅长分析流程需求

ADT切割流程开发服务包括：

切割流程分析

流程参数推荐

提供切割刀片样品

提供用于质量检查的切割零件

综合应用程序报告

现场流程评估

进一步优化跟踪行动

定制/新切割刀片开发

持续支持

定制方案方案描述

ADT拥有广泛的研发能力，包括高技能的人员和设备精良的过程开发中心，我们的工程师在那里识别平台、切割刀片和切割方法，这些最适合于解决特定的挑战以及一般的行业问题。

过程控制方案描述

创新

实时流程控制工具，确保提高产量。

连续数字放大视觉系统方案描述

任何视点均有较佳放大倍率

从 x 1 (8微米/像素) 到 x 8 (1微米/像素)

刀片磨损预测算法方案介绍

独一无二的算法，基于刀片磨损平均历史，预测刀片磨损率。

优点：和传统方法相比，测量时间缩短到三分之一，并增加每小时产出（UPH）。

对齐算法方案介绍

独一无二的预定义对齐算法，补偿收缩并校正倾斜晶圆变形。

照明卡盘方案介绍

定制卡盘照明

卡盘从下方照亮，可提高切割质量，延长刀片寿命。

斜切刀片方案介绍

斜切刀片，长久不变形，提高切割质量并延长刀片寿命

锯齿状的刀片方案介绍

改善因表面增加而要求的冷却效果

减少负载

但可能会出现振动，从而影响质量。

PCB专用镍刀片方案介绍

“T”、”V”和”Z”刀片，由严格控制浓度的镍键合金刚石制成。

独特的”T”、”V”和”Z”刀片可最大程度地减少毛刺，同时确保刀片使用寿命高于平均水平。

制造能力

全球制造提供支撑

郑州高新区总部制造基地

英国LP/LPB核心部件制造基地

以色列海法基地

生产链条全程可控

核心部件自主掌握

严格的供应链管控系统提供源头保证

本土机型传承集团近30年物联网传感器件及智能装备精密制造能力，品质稳定可靠

空港基地已经腾飞

178亩半导体高端装备制造基地，5万平米装配及测试车间，产能绝对保障

雷击浪涌、高温老化，各种极端测试条件一应俱全，设备历经千锤百炼

全球领先的LPB空气主轴，将在这里实现国产落地，填补国内空白。

技术实力

行业积累 · 一脉相承

GLTech集团旗下LP公司是半导体晶圆划片机全球发明者，ADT传承美国K&S公司40年研发制造经验，对产品研发、行业应用具备深厚的理解力和创造力。

核心部件 · 自主掌握

LPB的高精度空气主轴在业界早已广为应用，ADT成为全球唯二的同时掌握划片机和空气主轴核心技术的企业。ADT的刀片技术业界领先。

本土研发 · 厚积薄发

技术驱动已成为企业基因，研发投入连年超过10%，“无业可守，创新图强”的国内团队已成功实现本土化研发，半导体划切装备性能看齐行业标杆。

试切实验

晶圆片切割过程的优化涉及到对许多直接和间接受材料硬度、脆性和厚度等性能影响的变量的精确控制。

随着砷化镓、锂钽甚至铜等新型晶圆材料加入标准硅的行列，半导体制造商在维持和提高切割生产率方面面临着新的、更大的挑战。

ADT在半导体和电子产品的切割设备及所用刀片方面不断壮大，积累了丰富的切割经验。

在ADT，我们不断开发方法来量化和调节切割刀片材料和特性，以改善和提高切割质量、刀片寿命和产量。

技术驱动已成为企业基因，研发投入连年超过10%，“无业可守，创新图强”的国内团队已成功实现本土化研发，半导体划切装备性能看齐行业标杆。

ADT拥有广泛的研发能力，包括高技能的人员和设备精良的过程开发中心，我们的工程师在那里识别平台、切割刀片和切割方法，这些最适合于解决特定的挑战以及一般的行业问题。

ADT切割流程开发服务

流程参数推荐

提供用于质量检查的切割零件

现场流程评估

定制/新切割刀片开发

切割流程分析

提供切割刀片样品

综合应用程序报告

进一步优化跟踪行动

持续支持

常见问题

Q: 印刷电路板 PCB

印刷电路板（PCB）由铜层和FR4/5或BT树脂组成，是一种安装基板。 典型的厚度为0.3 mm – 2 mm

Q: 球栅阵列封装 BGA

球栅阵列封装以环氧树脂（FR4/5）或BT树脂作为基板，采用打线接合（wire-bonded）或覆晶（flip-chipped）将晶粒连接到基板。晶粒背面通常封装到环氧树脂中，封装没有引脚，通过焊球阵列连接到PCB。典型厚度为0.9 – 2.0 mm（包括焊球）。 常见的包装尺寸为4×4 – 20×20 mm。

Q: 四方扁平无引脚封装 QFN

四方扁平无引脚（QFN）封装基于铜导线架，使用半封装技术，使晶粒后侧暴露在外。典型的晶粒尺寸为3×3 – 10×10 mm，但目前的趋势是尺寸越来越小。主要分为三类：Power QFN：厚度1.5-2.5mm（~0.5mm铜导线架）标准HE QFN：厚度0.8-1.2mm （最大0.2mm铜导线架）Thin QFN：厚度0.4-0.6mm（最大0.15mm铜导线架）

Q:表面声波元件 SAW

表面声波元件（SAW）利用压电材料，将声波（即机械波）转换成电磁信号，或者将电磁信号转换成声波。  目前，常见的表面声波元件是SAW 带通滤波器（SAW BPF），根据频率对信号进行排序。 使用广泛的基质是脆性材料，如石英（SiO2）、铌酸锂（LiNbO3）和钽酸锂（LiTaO3）。

Q: 钛酸铅 PZT

是一种具有压电特性的陶瓷材料（该材料因变形/压力而产生电荷）。常见的应用是医疗行业的超声波成像。 在大多数应用中，PZT垂直切割，形成一系列浅切口。

Q: 低温共烧陶瓷 LTCC

低温共烧陶瓷（LTCC）基材使用耐火膜带与印制导线彼此叠加，采用共烧步骤制作而成。产品具有较低的介电常数和介电损耗，可以在多层结构中嵌入多层组件。

Q: 多层陶瓷电容器 MLCC

绿色陶瓷，基本电容器，由两个导电电极组成，导电电极由绝缘介电材料隔开。 多层陶瓷电容器由高电容陶瓷材料薄层之间大量密集的平行电极组成。

Q: 陶瓷 Al2O3

一种氧化铝组成的陶瓷材料，典型浓度为96-99.6%。 其硬度随着氧化铝浓度的增加而增加，高电阻和高热阻、高机械强度、良好的电气特征，高频率下低电介质损失。 典型的厚度为0.1 – 5.0 mm。

Q: LED 砷化镓应用

砷化镓（GaAs）是一种直接能隙半导体材料，可以发光，因此常用于LED行业。 砷化镓具有高速性能，非常适合于移动电话等射频装置，以及用于雷达和智能武器等军事用途的微波装置。由于含有较高量的砷，因此，具有一定的危险性。

Q: 玻璃 Glass

二氧化硅非晶态形式，具有或不具有饰变，是一种硬质、脆性、透明的材料，可作为各种应用的基材。 特定类型包括石英玻璃、硼硅酸盐玻璃和无碱玻璃。 典型厚度为0.3-5 mm，带或不带防护涂层和光学涂层。

Q: LED封装

LED封装通常由安装LED的基材组成，市面上常见的基材是：陶瓷、PCB和QFN。

发展历程

2021年，公司实现了从无到有、从1到N的快速转变，形成了物联网业务和半导体装备业务并驾齐驱的战略布局。

2020-至今

不断创新、继续前行

以郑州为公司总部及研发、生产基地；

以色列Yokneam为海外研发生产基地；

以郑州总部和上海浦东为运营中心布局全球。

2019

中资收购、新ADT诞生

2019年10月，以光力科技为龙头，出资成立了先进微电子装备（郑州）有限公司，并完成了对ADT的100%的股权收购，新ADT诞生。

2004-2018

深耕行业、发展壮大

十几年来，ADT在半导体和电子产品的切割设备及所用刀片方面不断壮大，积累了丰富的切割经验，并在市场占有一席之地。

2003

公司成立、ADT诞生

先进切割技术有限公司 Advanced Dicing Technology Co., Ltd，脱胎于美国K&S公司的切割设备及刀片业务板块。成为一家以色列的高科技公司。

技术支持

拥有超过35年的行业经验，擅长分析流程需求。

光力瑞弘电子科技有限公司，注册资金50000万元，是A股上市企业光力科技股份有限公司（光力科技，300480）的全资子公司，专业从事半导体划切设备的研发、生产与销售。

光力科技从能源安全生产物联网监测设备业务起家，凭借核心技术实力树立行业领先地位。2016-2021年收购半导体划片机发明者英国LP公司（Loadpoint）和划片机核心零部件空气主轴公司LPB（Loadpoint Bearings），并收购全球第三大划片机公司以色列ADT，进军半导体后道封测装备划片机领域。

2021年，公司实现了从无到有、从1到N的快速转变，形成了物联网业务和半导体装备业务并驾齐驱的战略布局。

企业邮箱：info@gltech.cn

公司地址：国家郑州高新技术产业开发区长椿路十号

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