杭州中安电子股份有限公司简介

杭州中安电子股份有限公司成立于1999年，是国内电子元器件可靠性行业领先的可靠性测试设备供应商&整体解决方案服务商。二十多年来，中安作为一家国家高新技术企业，一直致力于电子元器件可靠性测试设备的研发、生产和服务。随着国内半导体市场的迅猛发展，公司加大了半导体产业开发，在功率半导体器件、IGBT模块可靠性测试以及SoC、MCU、Memory等集成电路可靠性测试设备均处于行业领先地位。

杭州中安电子股份有限公司十分重视企业文化建设，企业文化是企业成员共同的精神支柱，是推动企业可持续发展的潜在生产力和内在驱动力，是提高企业核心竞争力的不竭动力。高度认同的核心价值观和公司的使命与愿景，让我们拥有一支高素质的员工队伍，这是我们事业的基础。同时，公司也十分重视运行管理系统建设。企业资源计划（ERP）、知识管理系统（KMS）和客户关系管理（CRM）三大软件管理平台，支撑了我们“办公管理、人力资源管理、研发管理、生产管理、供应链管理、品质管理、营销管理和财务管理”八大运营管理模块，是我们提供好的产品和服务的保障。

杭州中安电子股份有限公司地处创业创新的新高地，浙江杭州。位于浙江大学紫金港校区北华彩国际总部研发基地和杭州未来科技城生产制造基地，为科研生产提供了充分的保障。一流的科研生产环境和波峰焊、回流焊、贴片机、AOI检测设备、加工中心等生产线，为进一步提升公司的科研生产能力打下坚实的基础。

杭州中安电子股份有限公司拥有完善的营销服务体系，除杭州总部外，在北京、南京、西安、贵阳、深圳等城市建立了较为完善的常驻办事机构，为顾客提供专业、优质、及时的技术支持和服务。以先进的产品技术性能和优良的售后服务深受广大客户的信赖。中安电子秉承"质量创造品牌　科技谋求创新"的宗旨，致力于为社会、为客户创造价值，不断提升产品品质，以创新并富有竞争力的产品和服务拓展国内外市场，塑造具有影响力的中安品牌。

我们坚信：全体中安人秉持 【 让元器件变得更可靠 】 的使命，通过不懈追求，中安电子一定会成为全球领先的可靠性测试设备供应商&整体解决方案服务商。

杭州中安电子股份有限公司愿景：保持国内电子元器件可靠性试验设备行业领先优势，通过创新不断提升公司核心竞争力；积极参与国际竞争，成为全球知名的可靠性试验设备、半导体测试自动化设备和可靠性评价测试整体解决方案服务商。

杭州中安电子股份有限公司使命：以执着的态度研究电子元器件可靠性及试验手段，不断提高客户产品的可靠性水平，尤其是军用电子元器件的可靠性。

杭州中安电子股份有限公司价值观：实事求是、学习提高、开拓创新、追求梦想；

客户第一、员工第二、社会第三、股东第四；

创造机会、共赢分享；    

价值观诠释：

1、“实事求是、学习提高、开拓创新、追求梦想”：以实事求是的态度规范公司运行，以学习型组织提升各业务能力，以创新作为公司持续发展的源动力，以创业者精神去追求我们的梦想。

2、“客户第一、员工第二、社会第三、股东第四”：客户第一是我们公司存在的理由，所以我们必须提供好的产品和服务让顾客满意；我们信奉企业成长的前提是组织和员工得到成长，我们最直接的管理目标是员工人均年薪资增长10%，所以员工第二；作为社会公民，我们必须遵纪守法和保护环境，所以社会第三；做到上述三点，股东一定会有合理回报，所以股东第四。

3、“创造机会、共赢分享”：中安以开放的态度来面对员工、客户和同行，去创造更多的机会一起分享取得的成果。

总经理致辞      

中安是幸运的！我们有幸服务于国内大部分军工企业和众多半导体企业，成为电子元器件可靠性行业重要的参与者和推动者。能成为细分行业的第一，主要归究于我们二十年来执着和军工、半导体行业的快速发展。当然，还要感谢我们的客户对我们的信任和支持，也要感谢服务于中安的所有员工。

 为客户提供产品可靠性解决方案和优质的产品与服务是中安存在的价值，也是我们的使命。基于这一点，我们通过不断的研发，我们的产品几乎覆盖所有的电子元器件的可靠性试验设备。从最简单的阻容元件、二三极管，到复杂的DSP/FPGA；到频率最高40GHz微波器件（RF），最高温度到300℃的GaN、SiC器件，电流高达3000A电压高压20KV的IGBT。可以说我们是国内，乃至全球覆盖面齐全的可靠性试验设备供应商。热忱欢迎您的来电，相信您一定得到满意的答复。

我们认为：优秀的企业文化和价值观是我们核心的竞争力。有了好的企业文化和价值观才可能有优秀的团队，再加上好的运行管理系统，才能出来好的产品和服务，才能满足顾客的期望。我们信奉上述逻辑，也是我们成功的基因与密码。我们非常重视运行管理系统的建设。研发方面，我们基于知识管理系统实现产品设计模块化管理（CBB模块）和技术重用。制造方面，我们基于ERP系统MRP、MES做好供应链管理和生产过程管理。销售服务方面，基于我们的CRM做好营销和售后服务管理。       

我们认为：企业持续成长是对客户和员工最好的保障。未来几年中安有两个大的发展规划。第一，加强测试和自动化研发和可靠性评价测试第三方实验室建设。整合各业务模块和资源，努力成为电子元器件可靠性试验、测试自动化和可靠性评价测试整体解决方案供应商，为客户提供更大的价值。第二，业务链整合完成后，对接资本市场使中安成为一家伟大的“小公司”。我们期待您的来电，乐于提供我们更好的产品与服务并成为一起成长的伙伴。我们也非常期待您的加入，一起去做一件有意义的事情。 

总经理：卜建明

WLXB6000pro (SiC Wafer Level)

SiC晶圆高温老化测试系统+晶圆上下料机

适用于8英寸及以下、同时5片晶圆独立高温栅偏试验HTGB、高温反偏试验HTRB、Vth测试及老化筛选。

系统符合并满足JEP183、MIL-STD-750D、GJB128B、AEC-Q101等试验标准；提供API接口，开放设备状态、通道状态、试验数据、失效数据等对外接口，可部署在私有云或者公有云上，实现实验室设备、工作人员、任务及数据的数字化管理，提升试验效率及试验规范化、标准化程度；配备老化夹具搬运机构，实现上下料机和老化测试台之间老化夹具搬运；搬运机构具备自动升降功能，手动或自动运动到上下料机和测试台，自动从上下料机和老化测试台工位取放夹具；常温下晶圆Die上的压痕为点状，随机选取若干压痕点位进行测量，压痕深度200~400nm。

试验数量

整机支持3840（768*5）个通道同时老化;

试验温度

每区加热台室温～200℃，准确性±2℃，温度过冲≤3℃;

HTRB

IDSS电流检测

电压0～2000V，分辨率1V;

0.1μA～1mA，分辨率0.1uA，检测精度±(1%rdg.+2LSB)

HTGB

IGSS电流检测

电压±60V，分辨率0.1V;

10pA～100uA，分辨率10pA，检测精度±(1%rdg.+50pA)

阈值电压检测

保护气压

0-10.0V，分辨率0.1V;

0～4bar惰性气体

WLXB8000 (2112 die per Chuck)

SiC晶圆高温老化测试系统

适用于8英寸及以下、晶圆独立高温栅偏试验（HTGB)、高温反偏试验（HTRB）、Vth测试及老化筛选。系统符合并满足JEP183、MIL-STD-750D、GJB128B、AEC-Q101等试验标准；提供API接口，开放设备状态、通道状态、试验数据、失效数据等对外接口，可部署在私有云或者公有云上，实现实验室设备、工作人员、任务及数据的数字化管理，提升试验效率及试验规范化、标准化程度；配备老化夹具搬运机构，实现上下料机和老化测试台之间老化夹具搬运；搬运机构具备自动升降功能，手动或自动运动到上下料机和测试台，自动从上下料机和老化测试台工位取放夹具；标配SMIF（天车专用版），SMIF需配置RFID，可以读取POD ID（正面）和Cassette ID(右边)；配置E84通讯协议，以及配置Loadport天车搬运的安全挡板和光栅。

试验数量

支持单chuck 2112 die 同时老化;

试验温度

每区加热台室温～200℃，准确性±2℃，温度过冲≤3℃;

HTRB

IDSS电流检测

电压0～2000V，分辨率1V;

0.1μA～1mA，分辨率0.1uA，检测精度±(1%rdg.+2LSB)

HTGB

IGSS电流检测

电压±60V，分辨率0.1V;

10pA～500uA，分辨率10pA，检测精度±(1%rdg.+2LSB)

阈值电压检测

保护气压

0~10V，分辨率0.1V;

0～4bar惰性气体

BTR-T640(微波SiC/GaN)

SiC/GaN化合物高温反偏老化试验系统(HTRB)--Vd+Vg截止

满足SiC/GaN化合物微波器件的高温反偏/栅偏试验（HTRB/HTGB）和高温漏电流测试（HTIR）

BTR-T600pro(HTRB/HTGB/HTXB)

高温反偏/栅偏试验一体机

系统能通过配置不同老化板来满足Si/SiC/GaN芯片的

各种封装形式二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆和 IGBT 单管、SiC单管等半导体分立器件的

高温反偏/栅偏可靠性测试和老化筛选。

高温试验箱

R.T.~（200℃）；温度均匀性：≤±3℃(空载)；波动度：≤±0.5℃；

容量

16个试验通道；单板80工位 / 整机1280工位；

试验电源

配置反偏电源 *8台；Max 2000V； 栅偏电源*4台；Max 60V；

驱动板数量

16块；

HTRB

电压检测：0.0~2000.0V；精度：±（0.5% rdg.+ 0.1) V；分辨率：0.1V

电流检测：1nA~50.00mA；精度：±（0.5% rdg.+0.01）μA；分辨率：1nA

HTGB

电压检测：0.0~60.0V；精度：±（0.3% rdg.+ 0.2) V；分辨率：0.1V

电流检测：1pA~666μA；精度：±（1% rdg.+0.1）μA；分辨率：1pA

产品特点

兼容RB/GB

用户只需软件设置，直接可以从HTRB模式切换至HTGB模式

pA级漏电采样

超高精度采样设计，适配HTGB的采样精度

数据recall

配置的高性能下位机能快速抓取器件失效之前50~100个数据

SiC单管试验

通用几乎除微波器件外所有的功率器件，特别包括SiC单管

BTR-X600(功率单管HTRB)

高温反偏老化试验系统HTRB-nA级检测精度

20余载大厂认可

有现货，快速发货

货架产品，稳定可靠

满足各种封装形式的二极管，三极管，场效应管， IGBT单管和可控硅等

半导体分立器件高温反偏（HTRB）和高温漏电流测试（HTIR）。

高温试验箱

R.T.~ 200℃；

温度波动度0.5 ℃，温度偏差±2℃，温度均匀性：2℃。

容量

16个试验通道；单板80个工位 / 整机1280工位；

试验电源

配置4台（一台电源对应一个试验区）Max 2000V；电源型号：客户选配

驱动板数量

电压检测：

电压检测：0.0~2000.0V；精度：±（0.5% rdg.+ 0.1) V；分辨率：0.1V

漏电流检测：

电流检测：10nA~50.00mA；精度：±（0.5% rdg.+0.01）μA；分辨率：1nA

产品特点

最高试验温度

用户可选择配置150 / 175 / 200℃不同的高温箱、线材，以及相对应的耐温不同的老化板

数据快速抓取

系统自动识别超限报警工位，并以2s间隔连续快速抓取该工位的最后50~100个数据

自动加载试验条件

试验开启时系统根据上位机软件设定对开启区域自动加载温度T/试验电压V,等条件

数据实时监控

试验全过程实时监测所有实验工位的试验参数及超限状态，便于用户进行失效分析

BTR-T668(功率模块HTRB-热台型)

IGBT模块高温反偏试验系统(HTRB)--热台型

满足HPD、EasyPACK、EconoDUAL等封装形式的IGBT模块、DSC及IPM模块高温反偏/栅偏试验(HTRB/HTGB)和高温漏电 流测试(HTIR)。

容量

单腔体4工位 / 整机 48 工位;

试验电源 

高精度电源-Max±2000V;

驱动板

电压监测范围：0.0V~±2000.0V；分辨率：1V；

精度：±(0.5‰+1V);

漏电流检测范围：0.001μA~50mA；分辨率：1nA；

精度：±(1%+2nA);

BTR-T660(功率模块HTRB-烘箱型)

模块高温反偏老化试验系统(HTRB)--烘箱型

系统能通过配置不同老化板来满足IGBT模块等半导体分立器件的高温反偏的可靠性测试和老化筛选。上下桥同时加载偏置电压，更快速更均匀

高温箱

R.T.~（175℃ / 200℃）；温度均匀性：150℃±3℃(空载)；

试验电源 

高精度电源-Max±2000V;

驱动板

电压监测范围：0.0V~±2000.0V；分辨率：0.1V；

精度：±(0.5‰+1V);

漏电流检测范围：1.0uA~50mA；分辨率：0.01uA；

精度：±(1%+0.01uA);

BTR-T660pro(功率模块HTRB/HTGB)

功率模块高温反偏/栅偏试验一体机HTXB

20余载大厂认可

有现货，快速发货

货架产品，稳定可靠

满足HPD、EasyPACK、EconoDUAL等封装形式的IGBT模块、DSC及IPM模块高温反偏/栅偏试验(HTRB /HTGB)和高温

漏电流测试(HTIR)。

高温试验箱

最高试验温度： 200℃

容量

8通道；最多12工位-单板；最多 96工位-整机

试验电源

RB：4台正压电源+4台负电压电源；量程范围：Max ±2000V

GB：4台高精度电源；量程范围：Max 100V

驱动检测板 

数量：8块

RB电压检测范围   ：0～±2000.0V；分辨率：0.1V；精度：±(0.5％＋0.2V)

RB漏电流检测范围：0.001μA～50.0mA；分辨率：0.001μA；

                     精度：±(0.1%rdg.+0.01)μA

GB电压检测范围：0～100.00V；分辨率：0.01V；精度：±(1％＋0.2V)

GB漏电流检测范围：±(1nA～100uA)； 分辨率：1nA；精度：1％±2LSB

BTR-T610(超高压6000V)

高温反偏老化试验系统--超高压Max 6KV

系统能满足各种封装形式的二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆和 IGBT 单管等半导体分立器件的高温反偏试验(HTRB)和老化筛选。

高温试验箱

R.T.~（210℃）；温度均匀性：≤±3℃(空载)；-波动度：≤±0.5℃；

容量

16个试验通道；单板40个工位 / 整机640工位；

试验电源

配置反偏电源 *4台；Max 6000V； 反偏电源*4台；Max 3000V；

驱动板数量

16块；

电压检测：0.0~6000.0V；精度：±（0.5% rdg.+ 1LSB ) ；分辨率：1V

电流检测：0.001μA～50.00mA；精度：±（1% rdg.+0.01）μA；分辨率：0.001μA

BTI-X3360 (≤15W)

腔体温控型集成电路高温动态老化系统--存储器,Memory,MCU

针对中低功率（≤10W）器件，在室温+10℃~150℃的环境下对QFN、QFP、BGA、SOP、SSOP、TSSOP等各种封装形式的中、小规模MCU、数字逻辑器件、SoC数字芯片、存储芯片（FLASH、DRAM等）等进行高温动态老化试验和寿命评估试验。同时系统采用TDBI技术，在老化过程中可对被测芯片进行逻辑功能测试。

单板信号通道数                   

184路（ I/O）

最大编程深度                       

64M Words(Max)

信号最高频率                       

20MHz

边沿种类                           

8 Edges

向量边沿格式                       

8种基本格式；D/U/Z/P ，L/H/X/T

数字信号驱动电平                

VIH=0.6V~5.5V ， VIL≤0.8V；

驱动电流能力                     

±200mA

输出信号边沿属性                  

Tr≤10ns ，Tf≤10ns

窗口比较器参考电平范围          

VOH:0.6V~5.5V，VOL:0.6V~5.5V

注：其中向量边沿格式解析如下： D:输出低电平；U:输出高电平；Z：输出高阻态；P：输出保持；L:接收低电平；H:接收高电平；X：接收不关心；T：接收高阻态。

BTI-X3600 (≤50W 独立温控)

50W以下SoC/MCU/FPGA等老化测试系统--独立温控

数字信号Driver模块采用先进TDBI技术，可在-40℃~150℃的环境下，对所有≤50W集成电路IC（车规级MCU、SoC、FPGA、CPU等不同封装类型）器件进行高温动态测试和寿命评估试验的同时，建立其失效模型，分析其失效机理。

高温试验箱

2；-40℃~150℃；5000W per chamber

独立温控

24DUT (20W) / 6-9DUT (50W)；accuracy：±2℃

容量

16*2 Slot；Temperature Zone*2

Pattern Zone

32

Slots Pitch

72mm

BIB Size

564mm*610mm

System Repetition Rate

20MHz (Maximum)

Vector Memory

64M Words

Error Log

2K (Per I/O)

Driver

VH 0.6~4.0V (2 Level)

Receiver

0.6~4.0V (VRH,VRL)

DPS

8 supplies 

0.0~9.5V, 2mV resolution 

Maximum output: 60A, 240W 

Accuracy: ±0.3% of output voltage±10mV 

Ripple & noise:30mV peak to peak

2 supply 

0.0~5.0 V, 2 mV resolution

BTI-X3300 (≤5W)

5W以下中低功率集成电路高温动态老化测试系统--腔体温控

针对中低功率（≤5W）器件，在室温+10℃~150℃的环境下对QFN、QFP、BGA、SOP、SSOP、TSSOP等各种封装形式的中、小规模MCU、数字逻辑器件、SoC数字芯片、存储芯片（FLASH、DRAM等）等进行高温动态老化试验和寿命评估试验。同时系统采用TDBI技术，在老化过程中可对被测芯片进行逻辑功能测试。

单板信号通道数                   

184路（ Bidirectional I/O）

最大编程深度                       

64M Words(Max)

信号最高频率                       

20MHz

边沿种类                           

8 Edges

向量边沿格式                       

8种基本格式；D/U/Z/P ，L/H/X/T

数字信号驱动电平                

VIH=0.6V~5.5V ， VIL≤0.8V；

驱动电流能力                     

±200mA

输出信号边沿属性                  

Tr≤10ns ，Tf≤10ns

窗口比较器参考电平范围          

VOH:0.6V~5.5V，VOL:0.6V~5.5V

注：其中向量边沿格式解析如下： D:输出低电平；U:输出高电平；Z：输出高阻态；P：输出保持；L:接收低电平；H:接收高电平；X：接收不关心；T：接收高阻态。

BTI-T3000(16通道)

集成电路高温动态老化系统--基础款

适用于各种封装形式的模拟、数字、数模混合集成电路，包括存储器、超大规模集成电路等

IC器件的高温动态老炼筛选和寿命试验。

高温试验箱

R.T.~150℃

容量

16通道

Pattern  Generator

（数字信号）

Test Rate：20Mhz

I/O channel ( 单通道 )：64路（DRV.）

Vector Memory（向量深度）：8Mbit（per pin）

Driver Vih/Vil：+2V~+15V / ≤0.7V

Tr/Tf：≤10ns

Driver Current：±100mA

Analog function generator（模拟信号）

TYPE：正弦波、矩形波、三角波、前后锯齿波

Channel：4路

Rate：10hz~1Mhz

Vp-p：±1V~±10V( ≤100Khz )；±1V~±5V ( 100KHz~1MHz )

Vbias：0~±1/2VPP( |偏移量+峰值(谷值)| ≤15V )

Driver Current：1A

Monitor channel

64ch ( DC + Freq ) , Voh≤15V / Vol≤15V

DPS（二级电源）

3ch per BIB；+2V~+18V/10A x2ch，-2V~-18V/10A

其他信息

BIB板尺寸：280mm*598mm

电网要求：AC 380V/50Hz

试验标准

产品特点

二级电源

经典二级电源回路设计具有低纹波、低过冲、抗干扰特性以及完善的过压、过流、过温保护的功能

数字信号

系统配置高达20M的数字信号发生能力，同时具有良好的高频数字信号传输与匹配设计

模拟信号

系统配置4路模拟信号发生及驱动模块，能很好的应用于模拟、数模混合IC的试验加载

数字信号检测

系统配置64路数字信号检测回路，在试验过程中用户可实时回检被试器件输入/输出信号的频率及幅度参数

BTI-X3360(验板机)

集成电路验板机-常温试验

┃ 试验温度

常温

容量

1 Slot

Pattern Zone

32

BIB Size

564mm*610mm

System Repetition Rate

20MHz (Maximum)

Vector Memory

64M Words

Error Log

2K (Per I/O)

Driver

VH 0.6~4.0V (2 Level)

Receiver

0.6~4.0V (VRH,VRL)

DPS

8 supplies 

0.0~9.5V, 2mV resolution 

Maximum output: 60A, 240W 

Accuracy: ±0.3% of output voltage±10mV 

Ripple & noise:30mV peak to peak

2 supply 

0.0~5.0 V, 2 mV resolution

IC-ALU

集成电路全自动上下料机

一款带MAP分选功能芯片老化上下机， 实现将推车内全自动取放老化板，将老化板内 芯片根据map图分类摆盘叠放，或者将待老化 芯片放入老化板内

Tray料仓

7x20叠

BIB 板尺寸

W:280-650 L: 280-660

Tray盘料仓

7个x20片

吸嘴数量

Tray ：max9个；BIB: max18个

UPH

大于6000 分选大于4000

车轨道高度

400-1900mm

厂务条件

1920X1820X2100mm；220V-3KW；0.6mpa气压

BTE-T283(16通道)

电源模块高温老化系统-（能量反馈型）控壳温

满足各种封装的单路、多路正负输出的DC/DC电源模块在高温环境下的

恒流、恒功率（控壳温）老炼筛选及寿命试验。

试验标准

产品特点

壳温精确控制

在高温大环境下通过对每个工位的独立辅助温控，设计合理的算法，尽量减少邻近工位之间的温度串扰

电源分区配置

系统可选4~8个独立电源试验区，可同时老化4~8种不同试验条件的DC/DC电源模块

电子负载智能加载

用户可通过上位机软件设置试验电流参数，12路电子负载能自动分配组合并实现恒流。

数据实时监控

试验全过程实时监测所有实验工位的试验参数及超限状态，便于用户进行失效分析

BTE-T285(大功率老化房)

大功率电源模块高温老化房-控壳温

满足各种封装的单路、多路输出的DC/DC大功率电源模块在高温环境下的

恒流、恒功率（控壳温）老炼筛选及寿命试验。

BTS-T280

DC/DC电源模块高温老化系统

本系统试验线路及功能符并满足  MIL-STD-883D、GJB128A、GJB548 等标准试验要求；采用双向能耗型电子负载，能满足各种单路、多路输出的 DC/DC电源模块做高温恒流/恒功率老炼筛选及寿命试验。

高温试验箱

最高试验温度： 150℃；温度偏差：≤±2℃（空载）；波动性：≤±0.5℃

容量

16通道；20工位-单板；320工位-整机

试验电源

8台试验电源；量程范围：0～30.0A / 0～40.0V ；过流、过压、过热、短路保护功能

驱动检测板 

数量：16块

双向程控电子负载：输出电压范围:正电压: 3～300V ,负电压: -3～-50V.

电压检测范围：0.0～300.0V；精度：±（0.5% rdg.+ 1LSB ) 

电流检测范围：0.01A～20.00A；精度：±（1% rdg.+1LSB）mA

壳温检测范围：25～150℃；精度：1﹪±2℃

BTW-T530(10W以下)

中小功率微波器件/模块高温直流老化系统

满足HBT及pHEMT（增强型/耗尽型）在发热功率＜15W、环境温度在50℃～200℃之间的器件进行直流老化试验。

每个试验工位Vd电源由计算机独立二级程控电源供电，Vgs由计算机根据Id电流值自动供给。试验过程中计算机自动恒定每个试验工位的Id、Vds，确保每个试验工位自动调整到一致的试验条件状态下。每个试验工位试验相对独立，彻底消除试验工位之间影响而引起的试验器件振荡现象。

BTW-T550(10W以上)

微波功率器件直流老化系统

满足金属陶瓷微波功率场效应管器件，额定试验功率在150W以下、壳温控制在70～150℃之间的器件进行稳态寿命试验和功率老炼筛选。

老化试验线路采用恒流优先试验电路，老化夹具采取全屏蔽、防高低频振荡设计（要求外壳接地），不相互干扰，器件任意两极任何时刻开路、短路、漏电等均不应损坏器件和设备，也不影响其他器件正常试验。

每个试验工位Vdd电源由计算机独立二级程控电源供电，Vgs由计算机根据Id电流值自动供给。试验过程中计算机自动恒定每个试验工位的Id、Vds和Tc，确保每个试验工位自动调整到一致的试验条件状态下。每个试验工位试验相对独立，彻底消除试验工位之间影响而引起的试验器件振荡现象

BTW-T540(VCO / 10W以下)

中小功率微波器件/模块高温射频老化系统

满足各种封装形式的微波单片及模块组件（＜20W），在高温下的射频老炼试验。

通过可插拔设计，用户可便捷的自行更换射频输入/输出组件，适用不同频段的DUT。

BTW-T560(VCO / 10W以上)

中小功率微波器件/模块高温射频老化系统BTD-E560

满足金属陶瓷微波功率场效应管器件，额定试验功率在150W以下、壳温控制在70～150℃之间的器件进行射频稳态寿命试验和功率老炼筛选。

老化试验线路采用恒流优先试验电路，老化夹具采取全屏蔽、防高低频振荡设计（要求外壳接地），不相互干扰，器件任意两极任何时刻开路、短路、漏电等均不应损坏器件和设备，也不影响其他器件正常试验。

用户可选配P/L/S/C/X/Ka/Ku等各个波段的点频信号源(VCO)、放大器与耦合检波器等微波模块。

BTW-T598

多通道毫米波TR组件水冷射频试验系统

单工位配置5路独立的电源Vd/Vmux/Vmux2/Vg-/Vs，仪表式线性电源输入，开关电顺序可自定义；

整机提供单独1路的前置功放供电；

波控引脚定义：17路可编程TTL电平信号（+5V）+1路可编程IO_TTL上拉电平信号（+5V）+3对可编程差分信号；

波形编辑要求：可图形化自定义；

散热功率≥350W

散热方式：双面水冷，兼顾单面组件通用化快速拆装设计

IGBT行业可靠性试验

行业/方案背景

IGBT：绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)。

是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

如何才能实现高的可靠性呢？这可以分为设计阶段和批量生产两个方面去实现：

设计阶段考虑之一：封装材料的选取，比如芯片技术、焊接材料、外壳封装材料、芯片钝化层的材料；

设计阶段考虑之二：封装连接工艺的采用，比如焊接工艺、烧结工艺、键合线的几何形状、弹簧连接；

设计阶段考虑之三：芯片的布局，比如实现更好的均流，降低电磁干扰的影响；

批量生产中主要考虑稳定的工艺实现过程及其精准的控制。

在设计阶段对产品进行可靠性测试显得尤为重要。根据相应的国际标准进行了以下可靠性测试：

HTRB ，高温反偏测试

HTGB，高温门极（栅极）反偏测试

H3TRB ，高温高湿反偏测试

HTS ，高温存储测试

LTS ，低温存储测试

TC ，热循环测试

PC ，功率循环测试

Vibration ，振动测试

Mechanical shock ，机械冲击测试

氮化镓GaN 砷化镓GaAs

行业/方案背景

氮化镓GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

方案概述

解决方案价值/亮点

试验内容                   对应型号                   试验特征

HTRB                             BTR-T640                      超高电压6000V加载

H3TRB                            BTR-E670L                      双85测试，测试湿度对功率器件长期特性的影响。

HAST                            BTR-E690                         系统可根据用户要求定制不同的加电试验条件

IOL                            BTD-T810                        IOL-△Tj AEC-Q101试验标准

碳化硅SiC

行业/方案背景

碳化硅功率器件制备及产业链

SiC功率器件的制备过程，包含SiC粉末合成、单晶生长、晶片切磨抛、外延（镀膜）、前道工艺（芯片制备）、后道封装。

SiC器件的典型应用

1. 5G基建——通信电源

2. 新能源汽车充电桩——充电桩电源模块

3. 大数据中心、工业互联网——服务器电源

4．特高压——应用柔性输电直流断路器

5. 城际高铁和城际轨道交通——牵引变流器、电力电子变压器、辅助变流器、辅助电源

方案概述

碳化硅SiC

解决方案价值/亮点

试验内容                   对应型号                   试验特征

HTRB                             BTR-T600H                      超高电压6000V加载

HTGB                             BTR-T602                        超高精度电压100V加载

H3TRB                            BTR-E670L                      双85测试，测试湿度对功率器件长期特性的影响。

IOL                            BTD-T810                        IOL-△Tj AEC-Q101试验标准

自动老化线解决方案

行业/方案背景

新能源行业，太阳能光伏，以及储能等各个行业对器件可靠性日益增长的需求

方案概述

实现市场上主要封装的电子元器件全自动老化

自动上下料（带测试功能）：负责器件到老化板的自动上下料(装载/卸载)

自动搬运：负责老化板到自动老化台的(装载/卸载)

自动老化装载/卸载：负责定时定数量定参数老化

智能仓储：负责老化后的老化板存储

IC芯片行业

行业/方案背景

方案概述

解决方案价值/亮点

试验内容 

对应型号 

试验特征

HTOL-IC 

BTR-T3000AT 

高温动态老化试验  

BTR-T660  

上下半桥同时加载高压，最大2000V  

BTR-T610 

上半桥试验完毕后自动切换下半桥同时加载高压，最大2000V

HTGB 

BTR-T602 

超高精度电压100V加载

H3TRB 

BTR-E670L 

双85测试，测试湿度对功率器件长期特性的影响。

Power Cycling 

BTW-T330 

分钟级/秒级试验

IOL 

BTD-T810 

IGBT单管；IOL-△Tj AEC-Q101试验标准

老炼行业数字化智能物联平台

行业/方案背景

传统老化工厂、老化实验室中各要素都是互相独立的，每个设备都是数据孤岛，彼此不连接，这种现状导致老化工厂在大量任务以及大量设备同时运行时效率低下、出错概率高、管理压力大、数据追溯难，亟需数字化转型以提高运转效率以及便于数据管理分析与追溯。

方案概述

随着物联网、移动互联网、大数据、云计算技术的应用，各行各业都在向着数字化、智能化方向发展，新技术的运用可以提高产业效率，降低成本，为行业带来更大的价值。

目前消费电子、5G通信、新能源汽车、军工航天等行业发展快速，对芯片、电子元器件的需求越来越大，器件生产厂家的产线设备、人员、任务都处于满负荷运转中，但是传统老化测试工厂还是停留在以前的纸质表格管理模式，设备、人员、任务等各要素都是互相独立的，每个设备都是数据孤岛，彼此不连接，这种现状导致老化测试工厂在大量任务以及大量设备同时运行时效率低下、出错概率高、管理压力大、数据追溯难，亟需数字化转型以提高运转效率以及便于数据管理分析与追溯。目前老化工厂、老化实验室存在着以下主要问题：

设备是数据孤岛，不能集中监控、集中数据管理

任务根据人工巡视结果排产，导致设备利用率和任务完成率低

全流程纸质操作，不便于后期统计整理

任务多、设备多、人员多时三者的管理问题凸显、亟待提升效率

中间过程与数据追溯困难

基于数据驱动的老化流程质量管控、数据统计、数据分析基本不可能实现

中安电子为解决用户在老化测试过程中的效率低下以及设备人员任务管理问题提供了高性价比的数字化系统--可靠性智能物联平台。

可靠性智能物联平台是一个利用物联网、大数据分析、云计算技术对老化工厂的人员、任务、设备以及配件进行数字化管理与统计分析的智能平台。通过可靠性智能物联平台可以把老化工厂的各要素数字化起来，这样设备、人员、任务以及配件的数据都统一到平台，平台提供数据统计分析、失效率分析、设备管理、任务管理、消息提醒以及数据追溯等功能。

可靠性智能物联平台如图所示，包括设备、服务器、WEB应用和APP应用。设备通过设备API接口与服务器通信，老化工厂中的每台设备都是通过物联网技术源源不断的把数据传输到服务器，用户使用WEB应用对老化工厂的人员、任务、设备和配件进行管理、分配和数据查看以及数据分析。特别地，如果使用公有云方案，可靠性智能物联平台还提供APP或者小程序应用。

01设备包括上位机软件、烘箱、电源、驱动板等核心部件，设备通过上位机软件进行逻辑控制、器件编辑、老化、数据采集、数据管理等，上位机还具有对外的数据接口，包括数据API接口和Modbus TCP接口，两个接口开放了设备上的基础数据，包括设备类型、设备ID、设备状态、通道状态、通道老化数据、设备报警数据、任务ID、人员ID、失效数据等，上位机通过数据API接口主动发送数据到指定服务器以实现设备物联的功能。

02数据采集代码和WEB业务代码部署于服务器中，服务器是整个系统的核心，包括接收与处理上位机API接口数据、数据存储、数据分析、数据安全、对外接口、处理WEB业务需求等模块。服务器具有高安全性、高扩展性和高稳定性。

数据采集代码和WEB业务代码也可以部署在用户自有的服务器上，中安电子采用Docker容器技术可以快速实现代码部署，节约大量部署调试时间。

WEB应用包括WEB SaaS应用、大数据展示，WEB SaaS应用提供设备集中管理与数据查看，用户管理与用户权限、任务管理与任务数据查看、任务分配、配件管理、消息提醒等功能，大数据展示以更动态、更透明、更生动的方式展示工厂的各种实时数据以及统计分析数据。

WEB应用同时也开放API接口，可以直接对接用户ERP、MES上层系统，用户也可以调用API把可靠性智能物联平台的功能集成到自己的平台系统中。

WEB应用包含以下功能模块：

1、人员管理

人员管理模块提供管理员在系统中添加删除编辑老化工厂的操作员的功能，并且可以分配权限，不同权限的人员登录后看到的模块是不同的。

2、设备管理

设备管理模块提供添加/删除/编辑设备、查看设备状态、通道状态、通道数据查看、设备报警消息以及维护消息等功能。通过设备管理模块可以对设备进行集中管理、集中监控、方便数据查询与追溯。

3、任务管理

任务管理模块提供任务添加/编辑/删除、任务分配设备与通道、任务状态查看、任务数据查看、失效数据查看等功能。任务管理模块可以实现手动分配任务到指定空闲的设备与通道。任务管理模块支持基于任务的数据查询，以及该任务在设备以及通道的完成情况展示等。

4、配件管理

配件管理模块提供配件添加/编辑/删除、配件数量、配件关联设备通道、配件实时库存显示等功能。

5、消息管理

消息管理模块提供消息的及时推送与提醒、包括设备报警消息、任务失效消息、任务分配消息、任务完成消息以及设备空闲消息等，在消息模块展示以及弹窗提醒。

6、数据统计与分析

数据统计与分析模块提供设备、任务、人员、配件等的数据统计分析以及基于曲线、柱状图、饼图等方式的可视化展示。

7、大数据展示

大数据展示提供基于大屏幕显示的数据统计与分析，以更动态、更透明、更生动的方式展示工厂的各种实时数据以及统计分析数据。

解决方案价值/亮点

支持任务、设备、人员、配件的统一管理与数字化

支持私有化部署、开箱即用、部署周期短

支持单任务多设备多通道数据采集与数据统计分析

支持多任务单通道数据采集与数据统计分析

支持多设备动态扩容、设备物联、数据追溯

支持基于设备物联网数据的手动排产/排任务

支持即时消息提醒与推送

支持任务、设备、人员的数据统计与分析、可视化

为了帮助老化工厂快速实现工厂数字化、智能化，我们提供可靠性智能物联平台，支持私有化部署，开箱即用，老化企业可快速实现老化工厂数字化，透明化，提高设备利用效率，提高人员、任务管理效率，降低成本。

试验服务介绍

为半导体元器件生产和使用厂家提供可靠性验证和量产筛选服务，打造成为专业的第三方服务平台；解决半导体设计企业的可靠性验证困境，为量产企业的试验筛选能力提供保证；同时作为专业第三方实验室机构的可靠性验证能力的补充。

主要服务范围包含元器件使用寿命验证测试项目（Life test items），环境测试项目（Environmental test items）；可靠性试验工装及仪表提供；可为客户建立专用试验线，专供特定客户使用。公司试验设备采用国际领先的试验设备，保证试验的可靠性和稳定度；公司自有可靠性智能物联平台，可分配ID给客户，客户可实现远程自主监控试验进度及试验现场，保证试验的真实可靠。

试验设备及能力

配置主流试验标准下的 国际领先的可靠性试验设备，环境试验类设备，参数测试分析仪，量产元器件(单管/模块SiC、IGBT)自动老化产线，以及丰富的测试工装夹具 等。同时我司拥有10多位资深可靠性试验专家，20多位经验丰富的测试工程师等。

试验对象

二极管，三极管，场效应管，IGBT单管/模块，集成电路IC，以及其它各类电子元器件。

杭州中安电子股份有限公司总部地址：浙江杭州余杭区未来科技城圣地路6号

华东一区办事处地址：浙江杭州市西湖区灯彩街553号创美华彩国际7幢7-8F

华东二区办事处地址：江苏南京市江宁区正方中路绿地理想城2-1125

华南分公司地址：广东东莞市万科松山湖1号溪湾门(东莞市新竹路)2栋1103

西北办事处地址：陕西西安市太白南路紫薇尚层西3号楼1单元10层1005室

西南办事处地址：贵州贵阳市乌当区大坡路恒大雅苑9栋1单元2904号

四川成都地址：成都市青羊区苏辉路235号7栋3单元11楼4号

华北办事处地址：北京通州区台湖镇兴光四街1号院卫星导航科技园

东北办事处地址：辽宁省沈阳市皇姑区香炉山路航院小区

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