EVG仪器自动掩模对准系统,EVG单面/双面掩模对准光刻机,IQ Aligner 自动掩模对准系统,EVG6200 NT掩模对准光刻系统

简要描述：新型IQ Aligner NT具有高强度和高均匀度的曝光光学器件，新的晶圆处理硬件，可实现全局多点对准的200mm和300mm晶圆全覆盖范围以及优化的工具软件，从而使生产率提高了2倍与EVG上一代IQ Aligner相比，对准精度提高了2倍。该系统超越了晶圆凸块和其他后端光刻应用的蕞苛刻要求，同时与竞争系统相比，拥有成本降低了30％。

IQ Aligner NT自动掩模对准系统是具有高度自动化程度的非接触式接近光刻平台，可满足将生产线中的掩模污染降至蕞低并提高掩模寿命和产品良率的需求。除了多种对准功能外，该系统还通过专门配置进行了大量的的安装和现场验证，可自动支撑和处理翘曲或变薄的晶圆。标准的顶面或底面对准与集成的IR对准功能之间的混合匹配操作进一步拓宽了应用领域，尤其是在与工程或粘合（键合）基板对准时。该系统还通过快速响应的温度控制工具集支持晶圆片对准跳动控制。与EVG的上一代IQ Aligner相比，高功率光学器件的照明强度提高了3倍，使其成为曝光厚抗蚀剂和与处理凸点，支柱和其他高形貌特征相关的其他膜的理想选择。

IQ Aligner 性能特征

零辅助桥接工具-双基片，支持200mm和300mm规格

全透明场掩模移动（FCMM），实现灵活的图案定位和暗场掩模对准兼容性

无以伦比的吞吐量（第一次印刷/对准） > 200 wph / 160 wph

顶/底部对准精度达到 ± 250 nm / ± 500 nm

接近过程100%无触点

暗场对准能力/ 全场清除掩模（FCMM）

精准的跳动补偿，实现蕞佳的重叠对准

智能过程控制和性能分析框架软件平台

技术数据

楔形补偿：全自动-软件控制；非接触式

先进的对准功能：自动对准；大间隙对准；跳动控制对准；动态对准

工业自动化功能：盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理

晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米

对准方式：

上侧对准：≤±0.25 µm

底侧对准：≤±0.5 µm

红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基材

曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式

曝光选项：间隔曝光/整片曝光

系统控制：

操作系统：Windows

文件共享和备份解决方案/无限制的配方和参数

多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR

实时远程访问，诊断和故障排除

应用

IQ Aligner NT非常适合各种高级封装类型，包括晶圆级芯片级封装（WLCSP），扇出晶圆级封装（FOWLP），3D-IC /直通硅通孔（TSV），2.5D中介层和倒装芯片。

EVG6200 NT掩模对准光刻系统

简要描述：EVG6200 NT掩模对准光刻系统 特色：EVG ® 6200 NT掩模对准器为光学双面光刻的多功能工具和晶片尺寸高达200毫米。

EVG6200 NT掩模对准光刻系统

特色：EVG  6200 NT掩模对准器为光学双面光刻的多功能工具和晶片尺寸高达200毫米。

技术数据：EVG6200 NT以其自动化灵活性和可靠性而著称，可在小的占位面积上提供先进的掩模对准技术，并具有高的产能，先进的对准功能和优化的总拥有成本。操作员友好型软件，短的掩模和工具更换时间以及高效的球服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。EVG6200 NT或*安装的EVG6200 NT Gen2掩模对准系统有半自动或自动配置，并配有集成的振动隔离功能，可在广泛的应用中实现出色的曝光效果，例如薄和厚光刻胶的曝光，深腔和类似地形的图案，以及薄而易碎的材料（例如化合物半导体）的加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。

EVG6200 NT掩模对准光刻系统

EVG6200 NT特征：

晶圆/基板尺寸从小到200 mm / 8''

系统设计支持光刻工艺的多功能性

在一次光刻模式下的吞吐量高达180 WPH，在自动对准模式下的吞吐量高达140 WPH

易碎，薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理，更换时间短

带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列

自动原点功能，用于对准键的确居中

具有实时偏移校正功能的动态对准功能

支持新的UV-LED技术

返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统

自动化系统上的手动基板装载功能

可以从半自动版本升级到全自动版本

小化系统占地面积和设施要求

多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）

先进的软件功能以及研发与全面生产之间的兼容性

便捷处理和转换重组

远程技术支持和SECS / GEM兼容性

台式或带防震花岗岩台的单机版

EVG6200 NT附加功能：

键对准

红外对准

纳米压印光刻（NIL）

EVG6200 NT技术数据：

曝光源

汞光源/紫外线LED光源

先进的对准功能

手动对准/原位对准验证

自动对准

动态对准/自动边缘对准

对准偏移校正算法

EVG6200 NT产能：

全自动：一批生产量：每小时180片

全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆

晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米

对准方式：

上侧对准：≤±0.5 µm

底侧对准：≤±1,0 µm

红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基板材料

键对准：≤±2,0 µm

NIL对准：≤±3.0 µm

曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式

楔形补偿：全自动软件控制

曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光

系统控制

操作系统：Windows

文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数

多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR

实时远程访问，诊断和故障排除

工业自动化功能：盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理

纳米压印光刻技术：SmartNIL

EVG6200 NT掩模对准光刻系统

简要描述：EVG6200 NT掩模对准光刻系统 特色：EVG ® 6200 NT掩模对准器为光学双面光刻的多功能工具和晶片尺寸高达200毫米。

EVG6200 NT掩模对准光刻系统

特色：EVG  6200 NT掩模对准器为光学双面光刻的多功能工具和晶片尺寸高达200毫米。

技术数据：EVG6200 NT以其自动化灵活性和可靠性而著称，可在小的占位面积上提供先进的掩模对准技术，并具有高的产能，先进的对准功能和优化的总拥有成本。操作员友好型软件，短的掩模和工具更换时间以及高效的球服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。EVG6200 NT或*安装的EVG6200 NT Gen2掩模对准系统有半自动或自动配置，并配有集成的振动隔离功能，可在广泛的应用中实现出色的曝光效果，例如薄和厚光刻胶的曝光，深腔和类似地形的图案，以及薄而易碎的材料（例如化合物半导体）的加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。

EVG6200 NT掩模对准光刻系统

EVG6200 NT特征：

晶圆/基板尺寸从小到200 mm / 8''

系统设计支持光刻工艺的多功能性

在一次光刻模式下的吞吐量高达180 WPH，在自动对准模式下的吞吐量高达140 WPH

易碎，薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理，更换时间短

带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列

自动原点功能，用于对准键的确居中

具有实时偏移校正功能的动态对准功能

支持新的UV-LED技术

自动化系统上的手动基板装载功能

可以从半自动版本升级到全自动版本

小化系统占地面积和设施要求

多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）

先进的软件功能以及研发与全面生产之间的兼容性

便捷处理和转换重组

远程技术支持和SECS / GEM兼容性

台式或带防震花岗岩台的单机版

EVG6200 NT附加功能：

键对准

红外对准

纳米压印光刻（NIL）

EVG6200 NT技术数据：

曝光源

汞光源/紫外线LED光源

先进的对准功能

手动对准/原位对准验证

自动对准

动态对准/自动边缘对准

对准偏移校正算法

EVG6200 NT产能：

全自动：一批生产量：每小时180片

全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆

晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米

对准方式：

上侧对准：≤±0.5 µm

底侧对准：≤±1,0 µm

红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基板材料

键对准：≤±2,0 µm

NIL对准：≤±3.0 µm

曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式

楔形补偿：全自动软件控制

曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光

系统控制

操作系统：Windows

文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数

多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR

实时远程访问，诊断和故障排除

工业自动化功能：盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理

纳米压印光刻技术：SmartNIL

IQ Aligner 自动掩模对准系统

简要描述：IQ Aligner 自动掩模对准系统 用于自动非接触近距离掩模对准光刻，进行了处理和优化，用于晶圆片的尺寸高达200毫米。

IQ Aligner 自动掩模对准系统主要用途：

用于自动非接触近距离掩模对准光刻，进行了处理和优化，用于晶圆片的尺寸高达200毫米。

IQ Aligner 自动掩模对准系统是具有高度自动化程度的非接触式接近光刻平台，可满足将生产线中的掩模污染降至蕞低并提高掩模寿命和产品良率的需求。除了多种对准功能外，该系统还通过专门配置进行了大量的的安装和现场验证，可自动支撑和处理翘曲或变薄的晶圆。标准的顶面或底面对准与集成的IR对准功能之间的混合匹配操作进一步拓宽了应用领域，尤其是在与工程或粘合（键合）基板对准时。该系统还通过快 速响应的温度控 制工具集支持晶圆片对准跳动控 制。

IQ Aligner 性能特征

晶圆/基板尺寸从碎片到200 mm / 8''寸

用于外部晶圆楔形测量，实现了非接触式接近模式

增强的振动隔离

各种对准功能，提高了过程灵活性

跳动控 制对准功能

多种晶圆尺寸的易碎，薄或翘曲的晶圆处理

高地貌粗糙晶圆加工经验

手动基板装载能力

远程技术支持和SECS / GEM兼容性

附加功能：

红外对准–透射和/或反射

技术数据

楔形补偿：全自动-软件控 制；非接触式

先进的对准功能：自动对准；大间隙对准；跳动控 制对准；动态对准

工业自动化功能：盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理

晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米

对准方式：

上侧对准：≤±0.5 µm

底侧对准：≤±1,0 µm

红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基材

曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式

曝光选项：间隔曝光/整片曝光

系统控 制：

操作系统：Windows

文件共享和备份解决方案/无限制的配方和参数

多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR

实时远程访问，诊断和故障排除

产能：

全自动：一批印刷量：每小时85片

自动化：吞吐量对准：每小时80个晶圆

EVG单面/双面掩模对准光刻机

简要描述：EVG单面/双面掩模对准光刻机EVG610（单面/双面掩模对准光刻机 微流控 纳米压印）支持各种标准光刻工艺，如真空，硬，软接触和接近式曝光模式，可选择背部对准方式。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（NIL）。EVG610提供快速处理和重新加工，以满足不断变化的用户需求，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户，非常适合大学和研发应用。

EVG单面/双面掩模对准光刻机介绍：

EVG®610 单面/双面掩模对准光刻机是一款紧凑型多功能研发系统，可处理零碎片和大200 mm的晶圆。

EVG®610 单面/双面掩模对准光刻机（ 微流控 纳米压印）支持各种标准光刻工艺，如真空，硬，软接触和接近式曝光模式，可选择背部对准方式。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速处理和重新加工，以满足不断变化的用户需求，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户，非常适合大学和研发应用。

应用：

MEMS，RF器件，功率器件，化合物半导体等方面的图形光刻应用。

EVG单面/双面掩模对准光刻机特征

1、晶圆/基片尺寸从零碎片到200毫米/ 8英寸

2、顶部和底部对准功能

3、高精度对准

4、自动楔形补偿序列

5、电动的和程序控制的曝光间隙

6、支持先进的UV-LED技术

7、小化系统占地面积和设施要求

8、分步流程指引

9、远程技术支持

10、多用户概念(无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同语言)

11、敏捷的处理和转换重新加工

12、台式或独立式带防振花岗岩台面

附加功能：

1.键合对准

2.红外对准

3.纳米压印光刻(NIL)

【技术参数】

1.掩模版-基板-晶圆尺寸

掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸

基片/晶圆尺寸：100mm/150mm/200mm

晶圆厚度：高达10mm

2.对准模式

顶部对准精度：≤ ± 0,5 µm

底部对准精度：≤ ± 2,0 µm

红外对准模式：≤ ± 2,0 µm/取决于基片的材料

3.顶部显微镜

移动范围1：100mm(X轴：32-100mm；Y轴：-50/+30mm；)

移动范围2：150mm(X轴：32-150mm；Y轴：-75/+30mm；)

移动范围1：200mm(X轴：32-200mm；Y轴：-100/+30mm；)

可选：平坦的物镜可以增加光程；带有环形灯的暗场物镜，可以增加对比度

4.底部显微镜

移动范围1：100mm(X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；)

移动范围2：150mm(X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；)

移动范围1：200mm(X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；)

可选：平坦的物镜可以增加光程；带有环形灯的暗场物镜，可以增加对比度

5.曝光器件

(1)波长范围：

NUV：350 - 450 nm

DUV：低至200 nm (可选)

(2)光源：

汞灯350W , 500W UV LED灯

(3)均匀性：

150mm：≤ 3%

200mm：≤ 4%

(4)滤光片：

汞灯：机械式

UV LED：软件可调

6.曝光模式

接触：硬、软接触，真空

曝光间隙：1 - 1000 µm

线宽精度：1µm

模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)

可选：内部，浸入，扇形

7.可选功能

键合对准精度：≤ ± 2,0 µm

纳米压抑光刻(NIL)精度：≤ ± 2,0 µm

纳米压抑光刻(NIL)软印章分辨率：≤ 50 nm图形分辨率

8.设施

真空：< 150 mbar

压缩气体：6 bar

氮气：可选2或者6 bar

排气要求：汞灯需要；LED不需要

9.系统方式

系统：windows

文件分享和软件备份

无限程序储存，参数储存在程序内

支持多语言，含中文

实时远程支持，诊断和排除故障

10.楔形补偿

全自动- 软件控制

11.规格(单面/双面光刻机 微流控加工 掩模对准)

占地面积：0.55m²

高度：1.01m

重量：约250kg

纳米压印分辨率：≤ 40 nm(取决于模板和工艺)

支持工艺：Soft UV-NIL