1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所（以下简称半导体所），开启了中国半导体科学技术的发展之路。

半导体所拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；两个全国重点实验室——光电子材料与器件全国重点实验室、半导体芯片物理与技术全国重点实验室；一个院级实验室——中国科学院固态光电信息技术重点实验室。此外，还设有纳米光电子实验室、人工智能与高速电路实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、宽禁带半导体研发中心、光电子工程中心、半导体集成技术工程研究中心和元器件检测中心。

半导体所现有职工700余名。其中科技人员约600余名。包括中国科学院院士8名，中国工程院院士1名，高层次引进人才计划50余人，国家杰出青年科学基金获得者20人，“百千万人才工程”入选者10人，其中黄昆院士荣获2001年国家最高科学技术奖。设有3个博士后流动站，5个一级学科博士培养点，2个专业学位授权点。

半导体所高度重视国内外交流合作，与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了近40个联合实验室，积极为企业和区域经济社会发展服务。积极开展多层次、全方位的国际学术交流与合作，成绩显著，获得“北京国际科技合作基地”认定。以自主知识产权的专利和专有技术投资，融合社会资本建立了10余家高技术企业，并实施科研成果转化为现实生产力，已初步形成产业化、商品化规模。

半导体所秉承“两个卓越”和“三个推动”的办所理念，奋斗不息，勇攀高峰，取得了快速发展，研究所现已发展成为集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究机构。

半导体所的中长期发展战略目标是：开展与国家发展密切相关的、世界科技前沿的基础性、前瞻性、战略性科技创新活动，为发展我国的高新技术提供源源不断的动力；以国家重大需求为导向，开展前沿基础和应用技术研究，为国家科技发展提供支撑，并为相关行业的技术进步作出贡献；吸引、聚集和培养国际一流人才；建立具有国际先进水平的、开放的实验研究和测试平台，实现科技创新能力的跨越和持续发展，成为引领我国半导体科学技术发展的火车头。

中国科学院半导体研究所现任领导

中国科学院半导体研究所所 长

谭平恒 研究员?

中国科学院半导体研究所学术所长

郑婉华 院士 研究员

中国科学院半导体研究所党委书记 副所长

冯仁国 研究员

中国科学院半导体研究所副所长

张韵 研究员

中国科学院半导体研究所副所长

薛春来 研究员 

中国科学院半导体研究所纪委书记

翟金良 四级职员

中国科学院半导体研究所党委班子

中国科学院半导体研究所党委书记：冯仁国

中国科学院半导体研究所党委委员：谭平恒 张韵 薛春来 翟金良 李明 骆军委 王军喜 张兴旺

中国科学院半导体研究所纪委班子

中国科学院半导体研究所纪委书记：翟金良

中国科学院半导体研究所纪委副书记：葛婷

中国科学院半导体研究所纪委委员：王晓东 杨晓光 曹晓东

光电子材料与器件全国重点实验室

光电子材料与器件全国重点实验室是信息光电子材料与器件领域的重要科研平台。

实验室主任李明研究员，学术委员会主任吕跃广院士。实验室以祝宁华院士为首席科学家，王启明、王占国、陈良惠、郑厚植、李树深、常凯六位院士为学术顾问，多位富有影响力的青年科学家为方向学术带头人，组成了“使命驱动、责任担当、需求导向”的光电子材料与器件领域科研国家队。研究团队有两院院士及杰青、优青等各类人才计划入选者20余人，团队以青年研究员为主，其中40岁以下人员占比53%。

实验室面向国家在光电子领域的重大需求，开展光电子材料与器件应用基础研究与重大科技攻关，支撑未来信息技术的创新与开拓。与龙头企业构建“产-学-研”联合体，促进产业链和创新链融通发展。率先建成世界一流的光电子科技创新高地，支撑我国光电子产业高水平自立自强，满足国家光通信领域对高端光电子材料与器件的重大需求，引领全球技术发展。实验室围绕光电子材料与器件技术的异质异构集成、多维光电调控与多功能一体化三大发展趋势，开展覆盖“机理-材料-器件-集成-应用”的系统性攻关。

实验室以率先建成全球顶尖的光电子材料与器件创新机构和人才高地为总目标，面向异质异构集成、多维光电调控与多功能一体化发展趋势，开展材料与器件机理、光电子材料与异质异构集成、光通信核心光电子器件及集成，以及新场景光通信光电子器件及集成等研究工作，构建“产-学-研”融合科技攻关联合体，推动光通信用光电子材料与器件技术的“跨越式”发展和“技术-产业”的良性循环。

实验室近五年获国家科学技术奖一等奖1项、二等奖4项、省部级及行业奖40余项。牵头承担科技部重点研发计划项目20项、基金委重大项目2项、中科院先导项目1项。成果服务于探月工程、宽带中国、北斗导航、APEC峰会等国家重大工程。同时，实验室是锑化镓、砷化铟等衬底材料及量子级联激光器的国内唯一供货单位，打破相关国际技术封锁和产品禁运。

半导体芯片物理与技术全国重点实验室

中国科学院半导体研究所于2023年11月30日，以原半导体超晶格国家重点实验室为主，整合集成光电子学国家重点实验室、中科院半导体材料科学重点实验室、半导体照明联合创新国家重点实验室、中科院半导体光电器件工程实验室等5个研究单元中的半导体物理优势力量，形成合力，整合组建“半导体芯片物理与技术全国重点实验室”。本实验室的使命定位是：通过半导体物理源头和底层进行理论创新，解决摩尔定律物理极限瓶颈，为后摩尔时代半导体芯片技术提供共性理论和前沿技术体系，布局下一代芯片的底层技术核心专利池形成反制，抢占半导体芯片物理的科技制高点，助力实现半导体科技高水平自立自强。实验室重点布局方向有三个：半导体缺陷与掺杂物理、低维半导体物理和变革性半导体技术物理。

半导体芯片物理与技术重点实验室贯彻院党组“先定事、后定人”重组精神，积极从海外引进高层次人才，加强青年人才培养。自2021年重组工作以来，从伯克利国家实验室、芝加哥大学、苏黎世理工等世界知名研究机构全职引进21位高水平人才，包括青千（海外优青）12人；另外，实验室培育杰青1名、万人2名、优青2名、院青年科学家奖1名。

欢迎您来到中国科学院半导体研究所！

1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所（以下简称“半导体所”），开启了中国半导体科学技术的发展之路。

建所60多年来，半导体所在我国半导体科技发展的各个历史阶段都曾做出过重大贡献，研制出中国第一只锗晶体管、硅平面晶体管、半导体固体组件；研发出第一根锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶；制造出第一台硅单晶炉、区熔炉……取得了一系列重大原创性成果。共获得国家级奖励近40项，黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。半导体所现已发展成为集半导体物理、材料、器件及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究机构。

回顾历史，令人鼓舞；展望未来，任重道远。在此，我谨代表半导体所党政领导班子和全体同志，向长期以来关心和支持半导体所建设和发展的各级领导、海内外广大朋友和社会各界人士，致以诚挚的问候和衷心的感谢！

半导体所将以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，全面落实院党组的各项要求，牢记国家战略科技力量的使命与担当，把“四个率先”和“两加快一努力”作为一切工作的出发点和落脚点，抓住机遇，迎接挑战，抢占科技制高点，实现半导体所的高质量发展，为半导体科技领域的自立自强作出应有贡献！

衷心地欢迎和期待海内外半导体科学技术领域的精英访问、加盟半导体所！

感谢您对半导体所的关注和支持。 

                                                                          中国科学院半导体研究所所长

                                                                                   谭平恒

联系中国科学院半导体研究所

中国科学院半导体研究所地址：北京市海淀区清华东路甲35号 北京912信箱

邮政编码：100083

电话：010-82304210

传真：010-82305052

电子邮件：semi@red.semi.ac.cn